晶体生长控制中的高精度控温系统

调整主控制级的控制参数，一旦受控过程或用户设定参数变化较大时，主控制级的控 制指标达不到用户要求时，参数校正级就要投入调整过程，通过调整主控制级的控制参数来 改善主控制级的性能。
　　参数校正级的核心也是一个智能控制器，其输入参数是受控现场数据、用户设定、内环控制 情况等，受控对象是主控制级的控制参数，其变化范围较小。输入参数经数据规范化处理后 ，作为参数校正推理系统的推理条件，根据参数校正的相应规则，对综合数据库中主控制级 的控制参数进行调整，这个参数调整过程也可多次进行，直到主控制级的控制效果得到改善 ，参数校正才停止对主控制级控制参数的调整。参数校正控制采用的规则是IFTHEN 的形式，规则集也是按照“分类分层”的原理进行构造，其推理系统核心也 是启发式子树分离算法。推理系统的输出决定内环控制参数的调整情况，从而提高主控制级 的控制质量。系统设计主控制级的控制参数可动态调整(由参数校正级来完成)，而 参数校正 级的控制参数不能动态调整。?

　　本控温系统经多家单位投入使用，多年运行表明控温精度均达0.01℃，工作稳定可靠 。表1是控温过程的部分测试数据。
　　采用本控温系统，不仅可提高控温质量，而且可以 实现温度自动报警，参数制表，数据打印 ，资料存档等功能，有效地提高了晶体生产的技术及管理水平.