低压超级接面结构优化MOSFET性能
时间：02-11
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1)。然而，图4所示的结构中，明确标示出须要进一步降低Sp.RDS(on)，尽管这样做可能导致开关FOM变差，详见分裂闸技术和横向技术针对面积小于4平方毫米应用的对比。
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