DS1874具有数字LDD接口的SFP+控制器的寄存器映射
时间:02-19
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本参考指南以另一种方式给出了DS1874具有数字LDD接口的SFP+控制器的寄存器映射。在对器件进行编程时,可以很容易地获取寄存器信息。
低地址字节存储器的地址从00h至7Fh,包括报警和告警门限、标志、屏蔽、几个控制寄存器、密码输入区域(PWE)以及表格选择字节。
表01h主要包括用户EEPROM (具有PW1级访问权限)以及报警和告警使能字节。
表02h为多功能区域,包含配置寄存器、比例和失调值、密码、中断寄存器以及其它各种控制字节。
表04h包含温度索引LUT,用于控制调制电压。调制LUT可以在-40°C至+102°C温度范围内,以2°C步进值进行编程。
表05h默认情况下为空,可以配置为MASK位使能时(表02h、寄存器89h)的表01h,寄存器F8h–FFh的报警和告警使能字节。此时,表01h为空。
表06h包含温度索引LUT,允许APC设置点随温度变化,以补偿跟踪误差(TE)。APC LUT具有36个索引值,在-40°C至+100°C之间,以4°C为间隔确定APC设置。
表07h包含温度索引LUT,用于控制DAC1。该LUT具有36个索引值,在-40°C至+100°C之间,以4°C为间隔确定DAC设置。
表08h包含温度索引LUT,用于控制DAC2。该LUT具有36个索引值,在-40°C至+100°C之间,以4°C为间隔确定DAC设置。
辅助存储器(器件A0h)包含256个字节的EE存储器,可以从地址00h至FFh进行访问。这一功能通过A0h器件地址选择。
每个字节的功能以及读/写许可的详细信息,请参考下表的说明。
DS1874为关键存储器地址提供映射EEPROM存储器的位置,可以进行多次写操作。默认的映射EEPROM位SEEB并不置位,这些位置作为普通的EEPROM使用。将SEEB置位,这些位置用作SRAM,不需要考虑EEPROM的使用次数,可以对其进行无数次写操作,也无需考虑EEPROM的写时间。因为SEEB使能情况下的任何改变不会影响EEPROM,重新上电后不保存这些改写后的内容。上电后的数值为SEEB禁止时最后一次写入的数值。这一功能可以用于限制校准期间EEPROM的写操作次数,或在正常操作期间周期性地改变监测器门限,监测功能有助于减少EEPROM的写次数。存储器说明中给出了映射EEPROM的位置。
![](../img/eep-analog/analog-18074b030iy4iwtn.jpg)
注:RSVD为“保留”的英文缩写。
低地址字节存储器
引言
DS1874SFP+控制器具有数字LDD接口,允许对配置报警、告警和查找表(LUT)所需的各种选项进行编程。编程时需要参考寄存器存储器结构图。本应用笔记以另一种方式给出了寄存器映射,在对器件进行编程时,可以很容易地获取寄存器信息。DS1874存储器
DS1874具有9个独立的存储表,每个表内部分为8字节行。低地址字节存储器的地址从00h至7Fh,包括报警和告警门限、标志、屏蔽、几个控制寄存器、密码输入区域(PWE)以及表格选择字节。
表01h主要包括用户EEPROM (具有PW1级访问权限)以及报警和告警使能字节。
表02h为多功能区域,包含配置寄存器、比例和失调值、密码、中断寄存器以及其它各种控制字节。
表04h包含温度索引LUT,用于控制调制电压。调制LUT可以在-40°C至+102°C温度范围内,以2°C步进值进行编程。
表05h默认情况下为空,可以配置为MASK位使能时(表02h、寄存器89h)的表01h,寄存器F8h–FFh的报警和告警使能字节。此时,表01h为空。
表06h包含温度索引LUT,允许APC设置点随温度变化,以补偿跟踪误差(TE)。APC LUT具有36个索引值,在-40°C至+100°C之间,以4°C为间隔确定APC设置。
表07h包含温度索引LUT,用于控制DAC1。该LUT具有36个索引值,在-40°C至+100°C之间,以4°C为间隔确定DAC设置。
表08h包含温度索引LUT,用于控制DAC2。该LUT具有36个索引值,在-40°C至+100°C之间,以4°C为间隔确定DAC设置。
辅助存储器(器件A0h)包含256个字节的EE存储器,可以从地址00h至FFh进行访问。这一功能通过A0h器件地址选择。
每个字节的功能以及读/写许可的详细信息,请参考下表的说明。
EEPROM映射
很多非易失存储器的位置(如后续寄存器参考说明部分所示)实际上是映射EEPROM,受控于表02h,寄存器80h的SEEB位。DS1874为关键存储器地址提供映射EEPROM存储器的位置,可以进行多次写操作。默认的映射EEPROM位SEEB并不置位,这些位置作为普通的EEPROM使用。将SEEB置位,这些位置用作SRAM,不需要考虑EEPROM的使用次数,可以对其进行无数次写操作,也无需考虑EEPROM的写时间。因为SEEB使能情况下的任何改变不会影响EEPROM,重新上电后不保存这些改写后的内容。上电后的数值为SEEB禁止时最后一次写入的数值。这一功能可以用于限制校准期间EEPROM的写操作次数,或在正常操作期间周期性地改变监测器门限,监测功能有助于减少EEPROM的写次数。存储器说明中给出了映射EEPROM的位置。
DS1874存储器
![](../img/eep-analog/analog-18074b030iy4iwtn.jpg)
寄存器参考说明
下表给出了低地址字节存储器、表01h和表02h的简单参考说明,关于每一位的功能说明,请参考数据资料中相应的寄存器说明。表04h至表08h为LUT,无需单独的参考说明,因此在此处没有列出,详细信息请参考数据资料。注:RSVD为“保留”的英文缩写。
低地址字节存储器
REGISTER NAME | REGISTER ADDR (h) | bit7 | bit6 | bit5 | bit4 | bit3 | bit2 | bit1 | bit0 |
TEMP ALARM HI TEMP WARN HI | 00h, 04h | S | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 |
01h, 05h | 2-1 | 2-2 | 2-3 | 2-4 | 2-5 | 2-6 | 2-7 | 2-8 | |
TEMP ALARM LO TEMP WARN LO | 02h, 06h | S | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 |
03h, 07h | 2-1 | 2-2 | 2-3 | 2-4 | 2-5 | 2-6 | 2-7 | 2-8 | |
VCCALARM HI VCCWARN HI MON1-4 ALARM HI MON1-4 WARN HI | 08, 0C, 10, 14, 18, 1C, 20, 24, 28, 2Ch | 215 | 214 | 213 | 212 | 211 | 210 | 29 | 28 |
09, 0D, 11, 15, 19, 1D, 21, 25, 29, 2Dh | 27 | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 | |
VCCALARM LO VCCWARN LO MON1-4 ALARM LO MON1-4 WARN LO | 0A, 0E, 12, 16, 1A, 1E, 22, 26, 2A, 2Eh | 215 | 214 | 213 | 212 | 211 | 210 | 29 | 28 |
0B, 0F, 13, 17, 1B, 1F, 23, 27, 2B, 2Fh | 27 | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 | |
PW2 EE | 30h-5Fh | EE | EE | EE | EE | EE | EE | EE | EE |
TEMP VALUE | 60h | S | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 |
61h | 2-1 | 2-2 | 2-3 | 2-4 | 2-5 | 2-6 | 2-7 | 2-8 | |
VCCVALUE MON1-4 VALUE | 62, 64, 66, 68, 6Ah | 215 | 214 | 213 | 212 | 211 | 210 | 29 | 28 |
63, 65, 67, 69, 6Bh | 27 | 26 | 25 | 24 | 23 | 22 | 21 | 20 | |
RESERVED | 6C, 6Dh | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
STATUS | 6Eh | TXDS | TXDC | IN1S | RSELS | RSELC | TXF | RXL | RDYB |
UPDATE | 6Fh | TEMP RDY | VCCRDY | MON1 RDY | MON2 RDY | MON3 RDY | MON4 RDY | RESERVED | RSSIR |
ALARM3 | 70h | TEMP HI | TEMP LO | VCCHI | VCCLO | MON1 HI | MON1 LO | MON2 HI | MON2 LO |
ALARM2 | 71h | MON3 HI | MON3 LO | MON4 HI | MON4 LO | RSVD | RSVD | RSVD | TXFINT |
ALARM1 | 72h | RSVD | RSVD | RSVD | RSVD | HBAL | RSVD | TXP HI | TXP LO |
ALARM0 | 73h | LOS HI | LOS LO | RSVD | RSVD | BIAS MAX | RSVD | RSVD | RSVD |
WARN3 | 74h | TEMP HI | TEMP LO | VCCHI | VCCLO | MON1 HI | MON1 LO | MON2 HI | MON2 LO |
WARN2 | 75h | MON3 HI | MON3 LO | MON4 HI | MON4 LO | RSVD | RSVD | RSVD | RSVD |
RESERVED | 76h-7Ah | RSVD | RSVD | RSVD | RSVD | RSVD | RSVD | RSVD | RSVD |
PASSWORD ENTRY | 7Bh | 231 | 230 | 229 | 228 | 227 | 226 | 225 | 224 |
7Ch | 223 | 222 | 221 | 220 | 219 | 218 | 217 | 216 |
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