浅析栅极电阻RG对IGBT开关特性的性能影响
时间:07-31
来源:互联网
点击:
因此,栅极电阻必须具有一定的峰值功率能力。使用非常小的栅极电阻,会带来更高的dv/dt 或di/dt,但也可能会导致EMI噪声。
应用(直流环节)中的电感过大或者使用的栅极电阻小,将导致更大的di/dt,从而产生过大的IGBT电压尖峰。因此,应尽量减小电感或者增大栅极电阻值。为减小短路时的电压尖峰,可使用软关断电路,它可以更缓慢地关断IGBT。栅极电阻和IGBT模块之间的距离应尽可能短。如果栅极电阻和IGBT模块之间的连线过长,将会在栅极-发射极的通道上产生较大的电感。结合IGBT的输入电容,该线路电感将形成一个LC振荡电路。可简单地通过缩短连线或者用比最小栅极电阻值RG(min)≥2√Lwire/Cies大的栅极电阻来衰减这种振荡。
- 用IGBT代替MOSFET的可行性分析(11-27)
- 以创新的IGBT技术、合理的器件选型和有效的系统手段优化变频器设计(01-09)
- 智能功率IGBT和MOSFET让汽车更加舒适环保(01-09)
- 单电源供电的IGBT驱动电路在铁路辅助电源系统中的应用(01-16)
- 面向汽车应用的IGBT功率模块浅谈(05-13)
- 使用栅极电阻控制IGBT的开关(04-13)