基于全耗尽平面晶体管技术的NovaThor平台设计

MOS具有这项功能，但是，因为埋沟氧化层将晶体管沟道与硅体效应部分（背栅效应）隔离，体偏压的效果在FD-SOI技术上更加出色。

　　优化能效

　　对高端移动应用来说，良好处理性能兼出色的泄漏电流还不够，在移动设备日常使用过程中降低不同工作模式的总功耗才是最大化电池续航能力的关键。

　　下图描述了三种不同的 28nm 工艺的动态功耗特性，并给出了动态功耗-最大频率特性曲线。

　　从图中不难看出，在给定频率时，FD-SOI的总功耗总是比其它两项技术低很多，即便达到目标频率所需的电源电压略高于28nm HP.这主要因为FD-SOI技术的总功耗中泄漏电流较低。在整个电源电压范围和对应的性能范围内均是如此，这充分证明，FD-SOI是能够给移动设备带来最高能效的解决方案。

　　从上文可以看出，28nm FD-SOI在对于移动计算设备极其重要的关键参数方面优于现有的体效应工艺，具有高性能且低功耗的优点。