如何准确选择功率器件二

适驱动参数，保证合理正向栅电压。因为IGBT的工作状态与正向棚电压有很大关系，正向栅电压越高，开通损耗越小，正向压降也咯校

　　在桥式电路和大功率应用情况下，为了避免干扰，在IGBT关断时，栅极加负电压，一般在-5- 15V，保证IGBT的关断，避免Miller效应影响。

　　2）Miller效应。

　　为了降低Miller效应的影响，在IGBT栅驱动电路中采用改进措施：（1）开通和关断采用不同栅电阻Rg，on和Rg，off，确保IGBT的有效开通和关断；（2）栅源间加电容c，对Miller效应产生的电压进行能量泄放；（3）关断时加负栅压。在实际设计中，采用三者合理组合，对改进Mille r效应的效果更佳。

结论

　　（1）IGBT是逆变器主要使用的主要功率开关器件，也是逆变器中主要工作器件，合理选择IGBT是保证IGBT可靠工作的前提，同时，要根据三相逆变电路结构的特点，选择低通态型IGBT为佳。
主要参数如下

　　Vce

　　ICM

　　ILM

　　IC @ TC = 25°C

　　IC @ TC = 100°C

　　IF @ TC = 25°C

　　IF @ TC = 100°C

　　IFM（Diode Max Forward Current）

　　VGE

　　以上参数主要决定了所选择管子的规格。其中耐压、耐流和耐最大冲击电流能力都需要特别关注，特别是电源中有开机的inrush current一般会很大，需要较大的ICM.驱动电压多少我不用多说了，一定温度下电流通流能力是做一个很重要的参数，直接关系到你做halt试验结果。

　　PD @ TC = 25°C

　　PD @ TC = 100°C

　　Rθjc（ IGBT）

　　Rθjc（Diode）

　　Rθcs（Case-to-Sink.。.）

　　Rθja（Junction-to-Ambient.。.）

　　以上直接决定拟所选择管子的热设计，知道以上参数可以推算出junction的温度，也就是温度最高点的温度

　　VCE（on）

　　VFM

　　Diode Forward Voltage Drop

　　Eon

　　Eoff

　　Etot

　　Eon

　　Eoff

　　Etot

　　Td（on）

　　Tr

　　Td（off）

　　Tf

　　Trr

　　Irr

　　以上参数直接关系到你计算管子的损耗计算，是前期研发的重要参数，直接关系到你估计的损耗，接合热阻等概念，直接可以大概估计你所选择管子的热设计如何选择。

　　最后当然还有个重要的参数就是价格了。

　　以上我列出了的igbt 和mosfet的项目中带有体内二极管，如果没有体内二极管的管子，你当然应知道该如何处理

　　（2）根据IGBT的棚特性。合理设计栅驱动结构， 保证IGBT有效的开通和关断， 降低Miller效应的影响。