高性能S、C波段声表面波微波延迟线

1 引言

随着晶片材料和半导体工艺技术水平的快速发展，本文作者通过扇型结构声表面波换能器的拓扑设计，晶片材料和制作工艺流程的优化设计，研制出S、C波段声表面波（SAW）微波延迟线，它比声体波（BAW）微波延迟线的结构、生产工艺流程更加简单，体积更小，延时精准度高、一致性好、可靠性高，更适合量产。可广泛应用于雷达、电子对抗、高度计、通信、引信、信号处理器、目标模拟、微波信号存储和鉴频等系统中。在空间设备中应用具有强抗辐照能力。

2 SAW微波延迟线基本工作原理

SAW微波延迟线的基本结构，如图1所示，它由压电晶片、输入/输出叉指换能器（IDT）、金属屏蔽条和反射吸声层组成。其工作原理是当电信号加载到输入换能器后, 利用逆压电效应将电信号转换成声信号并以声的速度（比电磁信号慢105）沿晶片表面传播一段距离，经输出换能器接收，利用压电效应把声信号还原成电信号，形成电信号的延迟。显然改变两个换能器间的相对距离，就可得到不同延迟时间的电信号，金属屏蔽栅条用于输入/输出换能器间的电磁屏蔽，吸声层用于吸收声波反射。

图1 SAW微波延迟线的基本结构示意图

3 SAW微波延迟线的研制

3.1 扇形拓扑IDT结构设计

SAW延迟线要实现微波频段的工作频率、宽的工作带宽、高的三次渡越抑制、低的插入损耗和小的带内波动, 关键是IDT设计。根据工程项目的应用要求，同时考虑到温度（-55℃～＋85℃）变化可能引起的漂移，以及工艺过程可能带来的误差，我们建立了一种扇形拓扑IDT的理论模型，经仿真优化确定了IDT拓扑设计新结构，从研制出的几种SAW微波延迟线试验结果和最终产品测试结果证明，这种新结构设计完全实现了项目要求的S、C波段工作频率，宽的工作带宽（200～500MHz），延时时间（0.05～3us），三次渡越抑制（40dB～55dB）和直通抑制（30dB～45dB）等指标要求。

3.2 晶片材料选择（2～4英寸圆晶片）

由于表面声波是沿晶片表面传播，所以在晶片材料的选择上对其表面状态的要求很高。对工作在微波频段的SAW器件来讲，在工艺制作过程中晶片材料的透光性可导致晶片背面形成漫散射，从而降低光刻衬度，导致失真的线宽，至使工作频率、带宽等性能产生偏差，同时IDT的指间隔非常小（1/4λ），很容易受到静电释放影响，导致IDT的烧毁。为此我们选用了具有弱热释电效应的2～4英寸标准晶片见图2，有效解决了静电释放导致IDT烧毁和晶片开裂现象，同时光的漫散射也得到了有效抑制，成品率大幅提高。

图2 4英寸圆晶片

3.3 电磁屏蔽设计

电磁屏蔽是SAW微波延迟线设计的另一个难点。从图1的结构看出，输入与输出换能器是在同一个水平面上。声表面波器件是通过电-声、声-电变换的声波传播来实现电信号传输的，但电信号也可不经过电-声、声-电变换而直接从输入IDT偶合到输出IDT，尤其工作在微波频段和要求延迟时间很短时，这种影响就更严重。为有效抑制IDT间的电磁辐射，我们通过优化输入输出IDT的结构，采用倾斜式金属屏蔽栅条和隔板凹槽双腔体隔离的封装设计见图3、图4，有效抑制了输入/输出端电磁辐射，提高了SAW微波延迟线产品对直通信号抑制能力。

图3 2.7GHz声表面波微波延迟线封装结构

图4 4.3GHz声表面波微波延迟线2种封装结构

3.4 制作工艺流程

SAW微波延迟线的生产过程是采用标准、成熟、通用的半导体平面工艺及流程如图5所示，它只需1个工艺流程就可实现多芯片批生产，工艺过程稳定、可靠、重复性好、适于批量生产。

图5 SAW微波延迟线加工工艺流程图

4 结果与讨论

我们按工程项目要求研制出4种中心频率分别为1.5GHz，2.7GHz，2.85GHz，4.3GHz的SAW微波延迟线，主要性能分别如下。

4．1 1.5GHz SAW微波延迟线

主要实测技术指标见表1，频域响应见图6，时域响应见图7。

表1 1.5GHz SAW微波延迟线实测指标