高性能S、C波段声表面波微波延迟线

≥45

图6 1.5GHz SAW微波延迟线频域响应

图7 1.5GHz SAW微波延迟线时域响应

4.22 7GHz SAW微波延迟线

主要实测技术指标见表2，频域响应见图8，时域响应见图9。

表2 2.7GHz SAW微波延迟线实测指标

项目	实测技术指标
工作频率范围/GHz	2.6～2.8
带 宽/MHz	200
延迟时间/us	0．05
插入损耗/dB	≤22（无匹配）
三次渡越抑制/dB	≥31
直通抑制/dB	≥40

图8 2.7GHz SAW微波延迟线频域响应

图9 2.7 GHz SAW微波延迟线时域响应

4.32 85GHz SAW微波延迟线

主要实测技术指标见表3，频域响应见图10，时域响应见图11。

表3 2.85GHz SAW微波延迟线实测指标

项目	实测技术指标
工作频率范围/GHz	2.7～3.0
带 宽/MHz	300
延迟时间/us	3
插入损耗/dB	≤60（无匹配）
三次渡越抑制/dB	≥50
直通抑制/dB	≥40

图10 2.85GHz SAW微波延迟线频域响应

图11 2.85 GHz SAW微波延迟线频域响应

4.3 4.3GHz SAW微波延迟线

主要实测技术指标见表4，频域响应见图12，时域响应见图13。

表4 4.3GHz SAW微波延迟线实测指标

项目	实测技术指标
工作频率范围/GHz	4.2～4.4
带 宽/MHz	200
延迟时间/us	0.355
插入损耗/dB	≤45（无匹配）
	≤60（含温补衰减）
三次渡越抑制/dB	≥45
直通抑制/dB	≥30

图12 4.3 GHz SAW微波延迟线时域响应

图13 4.3 GHz SAW微波延迟线时域响应

目前国内还没有工作中心频率在1.5～4.3GHz间SAW微波延迟线的研制报道，中科院声学研究所率先研制成功，其中2.7GHz、2.85GHz和4.3GHz的SAW微波延迟线，在国内外均未查到相关报道，属国际首创。

与国内外相近技术指标的声体波（BAW）延迟线相比，关键的三次渡越抑制性能，SAW微波延迟线高于BAW微波延迟线17～27dB，为国际领先水平。见表5。

表5 SAW延迟线与BAW延迟线指标对比

指标	Teledyne BAW		国内BAW	声学所SAW
工作频率 范围/GHz	4.2～4.4		4.2～4.4	4.2～4.4
带宽/MHz	200		200	200
延迟时间us	0.330	0.345	0.358	0.355
三次渡越 抑制/dB	20	18	28	45

4 结束语

本文介绍的SAW微波延迟线还具有以下优势。

1）SAW微波延迟线是用标准的2～4英寸圆晶片制作，每个晶片上可排列几十至几百个芯片图形，经过1个工艺流程即可完成几十至几百芯片的制作。而不像BAW延迟线需要在圆棒晶体的两个端面经过4～6工艺流程、逐个调试修正完成制作，可见SAW微波延迟线产品的一致性、可靠性、延时精准性和批量生产能力等方面有着明显优势。

2）芯片装配结构，SAW延迟线为片状，易于表面贴装，结构可靠性高。BAW延迟线是圆柱状安装结构复杂。

3）表声波比体声波的传播速度慢1.5倍左右，