低k集成的曙光

10 CMP后清洗造成的损伤

最终，可以证明用于CMP后清洗的等离子体有利于提高互连可靠性。它使铜表面被还原，提高了对电介质层的粘附力，并去除了剩余的微粒。对致密的低k薄膜来说，氨等离子体是一个标准选项。然而，在低k介质等比例微缩时，纯氨等离子体会造成严重的场损伤（图6）。

为修复铜还原导致的损伤（等离子体损伤的证据），使用了He-NH3基的等离子体，有效减少了沟槽间的碳损耗。

在CMP后清洗中，使用传统NH3等离子体在孔隙率超过25%时会达到极限，因此NH3等离子体之前用氦等离子体对介电材料表面进行预处理是个很好的方法，可以获得最小的损伤和较好的与介电材料衬垫的粘附力。

11 结论

选择一个互连方案时，需要结合材料性质与单元工艺进行深入研究。最重要的是，需要在其相互作用、器件性能及可靠性之间建立清晰的联系。今天，对于k值为 3.0-2.5的绝缘层，目标是降低CD，且维持性能和可靠性。对于k<2.5的绝缘层，重点在于发展孔隙率小于25%的ULK薄膜。