基于magnum 2 测试系统的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的测试技术研究
时间:10-13
来源:互联网
点击:
IO突发读电流 | ICC4R | VCC=3.6V ,tRC=25ns, IOUT= 0mA | — | 11 | mA | |
IO突发写电流 | ICC4W | VCC=3.6V ,tWC=25ns, | — | 11 | mA | |
总线闲置电流 | ICC5 | VCC=3.6V ,tRC=100ns | — | 6 | mA | |
上电后首次复位电流 | ICC6 | VCC=3.6V ,tRC=100ns | — | 11 | mA | |
输出低电平 | VOL | VCC=2.7V IOL =2.1mA | — | 0.4 | V | |
输出高电平 | VOH | VCC=2.7V,IOH= -0.4mA | 2.4 | — | V | |
开关 指标(A4、A5、A6) | 读信号低电平到数据输出时间 | tREA | VCC=2.7V | — | 25 | ns |
块擦除时间 | tBERS | VOH=1.4V,VOL=1.4V | — | - | ms |
表3:AC特性
参数 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
读周期 | tRC | 25 | —— | ns |
读脉冲宽度 | tRP | 12 | —— | ns |
读信号高电平保持时间 | tREH | 10 | —— | ns |
片选高电平到数据输出高阻 | tCHZ | —— | 30 | ns |
片选高电平到输出数据保持时间 | tCOH | 15 | —— | ns |
读信号低电平到访读问时间 | tREA | —— | 20 | ns |
块擦除操作时间 | tBERS | —— | 3 | ms |
片选信号低电平到读访问时间 | tCEA | —— | 25 | ns |
读信号低电平到输出保持时间 | tRLOH | 5 | —— | ns |
读信号高电平到输出高阻时间 | tRHZ | —— | 100 | ns |
Ready信号到RE信号为低的延时 | tRR | 20 | —— | ns |
读高电平到输出数据保持时间 | tRHOH | 15 | —— | ns |
写信号高电平后,CLE的保持时间 | tCLH | 5 | —— | ns |
CLE至RE延时 | tCLR | 10 | —— | ns |
CLE的建立时间 | tCLS | 10 | —— | ns |
写信号高电平后,片选的保持时间 | tCH | 5 | —— | ns |
CE的建立时间 | tCH | 20 | —— | ns |
写信号周期 | tWC | 25 | —— | ns |
写信号上升前,ALE的建立时间 | tALS | 10 | —— | ns |
ALE到RE延时 | tAR | 10 | —— | ns |
ALE到数据输出延时 | tADL | 70 | —— | ns |
ALE的保持时间 | tALH | 5 | —— | ns |
写信号宽度 | tWP | 12 | —— | ns |
写信号为高到忙信号为低的延时 | tWB | —— | 100 | ns |
写信号为高到读信号为低延时 | tWHR | 60 | —— | ns |
页编程时间 | tPROG | —— | 500 | us |
写信号高电平保持时间 | tWH | 10 | —— | ns |
写信号上升前,数据的建立时间 | tDS | 10 | —— | ns |
写信号上升后,数据的保持时间 | tDH | 5 | —— | ns |
读页操作时间 | tR | —— | 25 | us |
4. VDNF64G08RS50MS4V25-III的测试方案
在本案例中,我们选用了Teradyne公司的magnum II测试系统对VDNF64G08RS50MS4V25-III进行全面的性能和功能评价。该器件的测试思路为典型的数字电路测试方法,即存储阵列的读写功能测试及各项电特性参数测试。
4.1 magnum II测试系统简介
Magnum II测试系统是上海Teradyne公司生产的存储器自动测试机,它由主机和测试底架组成,每个测试底架包含5个网站装配板(Site Assembly Board),每个装配板有128组测试通道,可用来连接DUT(Device Under Test)的管脚,5个装配板之间完全相互独立,故可以联合多个装配板测试管脚数更多的产品。除了与主机通信的装配板外,测试底架还包括系统电源供给、电源监控板、冷却风扇、以太网集线器和测试板锁定装置。使用Magnum II测试系统时,通过主机编程的方式配置各装配板,再由各装配板对DUT进行一系列向量测试,最终在主机的UI界面打印出测试结果。
Magnum II测试系统有着强大的算法模块APG(Algorithmic Pattern Generator),可生成各种检验程序,即测试pattern,如棋盘格测试程序,反棋盘格测试程序,全空间全1测试,全空间全0测试,读写累加数测试,读写随机数测试,对角线测试等,采用这些测试向量可以对器件进行较为全面的功能检测。
4.2 采用Magnum II测试系统的测试方案设计
1)硬件设计
按照magnum II测试系统的测试通道配置规则,绘制VDNF64G08RS50MS4V25-III的测试转接板,要对器件速率、工作电流、抗干扰等相关因素进行综合考量。
2)软件设计
考虑到使用该模块为器件提供需要施加激励信号的特殊性,我们采用了magnum II系统的特殊编程语言和C++编程语言,在VC++环境中调试测试程序,来完成相应的控制操作。具体实施步骤如下:
A、按照magnum II的标准编程方法,先完成对VDNF64G08RS50MS4V25-III的Pin Assignments 定义,Pin Scramble定义,Pin Electronics,Time Sets等的设置。
B、确定Sequence Table Execution Order,编辑每一组测试项,即Test Block, Test Block 里面需要包含Pin Electronics,Time Sets,funtest()函数,funtest()函数中就会使用到pattern。
C、编辑pattern使用的是magnum II测试系统的特殊编程语言,运用APG中各模块的功能编辑所需要的算法指令,编译生成object code。
4.3 VDNF64G08RS50MS4V25-III的功能测试
针对NAND FLASH等存储单元阵列的各类故障模型,如阵列中一个或多个单元的一位或多位固定为0或固定为1故障(Stuck at 0 or 1 fault)、阵列中一个或多个单元固定开路故障(Stuck open fault)、状态转换故障(Transition fault)、数据保持故障(Data maintaining fault)、状态耦合故障(Coupling fault)等,有相应的多种算法用于对各种故障类型加以测试,本文采用,全0、全1,棋盘格、反棋盘格,累加,随机数的测试算法。
1)APG简介
APG即为Algorithmic Pattern Generator(算法模式生成器)模块的简称,它其实就是一个简单的电脑,用特殊的编程语言和编译器生成目标代码供测试系统使用,APG主要由两个地址生成器(XALU和YALU)、一个数据生成器(Data Generator)、一个时钟选择信号生成器(Chip Select)组成。
一组地址生成器最多可编辑24位地址长度,结合两个地址生成器可产生一系列的地址算法,如单个地址的递增(increment)、递减(decrement)、输出全为1(all 1s)、输出全为0(zeros)等操作,两个地址的关联操作有相加(add)、相减(subtract)、或运算(or)、与运算(and)、异或(xor)运算等,运用这些地址算法可以非常灵活地寻址到器件的任一一个存储单元,以满足各种测试需求。
数据生成器最多可编辑36位数据长度,其功能除了有相加(add)、相减(subtract)、或运算(or)、与运算(and)、异或(xor)运算等以外,还可以与地址生成的背景函数(bckfen)配合使用,以生成需要的数据,如当地址为奇数是生成0x55的数据,当地址为偶数时生成0xaa的数据等等。
时钟信号生成器最多可编辑18个片选通道,并且可产生4种不同的波形,即脉冲有效,脉冲无效,电平有效,电平无效。
除以上四个模块外,APG还包括管脚定义模块(pinfunc),计数器(count),APG控制器(mar)等,使用magnum II特殊的编程语言并运用这些模块的功能编辑出所需要的算法指令,便可以对器件进行功能测试。
4.4 VDNF64G08RS50MS4V25-III的电性能测试
针对NAND FLASH类存储器件,其电性测试内容主要有管脚连通性测试(continuity)、管脚漏电流测试(leakage),电源管脚静态电流测试(ICC1/ ICC2)、电源管脚动态电流测试(ICC3)、输出高/低电平测试(voh/vol),时序参数测试(TACC、TOE、TCE)。
1) PMU简介
PMU即为Parametric Measurement Unit,可以将其想像为一个电压表,它可以连接到任一个器件管脚上,并通过force电流去测量电压或force电压去测量电流来完成参数测量工作。当PMU设置为force 电流模式时,在电流上升或下降时,一旦达到系统规定的值,PMU Buffer就开始工作,即可输出通过force电流测得的电压值。同理,当PMU设置为force 电压模式时, PMU Buffer会驱动一个电平,这时便可测得相应的电流值。NAND FLASH 器件的管脚连通性测试(continuity)、漏电流测试(leakage)、voh/vol测试均采用这样的方法进行。
2) 静态电流测试((ICC1/ ICC2)、动态电流测试(ICC3)、时序参数测试(TACC、TOE)。
静态电流测试不需要测试pattern,而动态电流测试需要测试pattern,使用的电流抓取函数分别是test_supply()和ac_test_supply(),需要注意的是测试静态电流时器件的片选控制信号需置成vcc状态,测试动态电流时负载电流(ioh/iol)需设为0ma。
对时序参数进行测试时, pattern测试是必不可少的。采用逐次逼近法进行,可以固定控制信号的时序,改变data strobe的时序来捉取第一次数据输出的时间;也可以固定data strobe的时序,改变控制信号的第一次有效沿的时间,与data strobe的时序做差运算即可得到器件的最快反应时间。
- 技巧:电子拉力试验机的工作原理介绍(01-10)
- 表面肌电信号数字传感器的设计(01-15)
- 人体生物电阻抗的脉冲式检测方法及其应用(02-25)
- 一个新型超低功耗指纹锁控制系统(03-11)
- 数字化宽带测向系统中的相位差测量及误差分析(03-04)
- 用于胎儿心电信号测量的嵌入式数据处理系统研究(03-10)