运放稳定性连载14：RO何时转变为ZO？(3)

CMOS RRO放大器的ZO总结

图7.50总结了CMOS RRO放大器ZO的关键参数。在高频段，ZO由RO决定。对大多数负载而言，当DC输出负载电流增加时，RO降低并与IOUT成反比。然而，在低IOUT时，RO与IOUT成正比。在中低频区域，ZO是容性CO。如果容性负载CL连接到CMOS RRO输出上，则RO及CO将与CL相互作用并产生比原有的Aol曲线多一个极点fp2的修正Aol曲线。Aol曲线的低频部分受到阻性负载RL的影响，RL与CO相互作用形成高通滤波效应，使中低频区域的Aol曲线趋于平坦。RO随过程和温度而变化。有关过程及温度变化的经验法则是0.5×ROtyp (-55C) ～ 2× ROtyp (125C)，其中ROtyp为25C时的RO典型值。我们研究得出的经验法则不总是适用于CMOS RRO放大器的开环输出阻抗。最完整和精确的ZO数据应该从放大器厂商处或经过测量获得。


图 7.50：CMOS RRO的ZO总结

鸣谢

谨此致谢提供有关ZO技术指导的下列个人：

TI Burr-Brown产品部：
高级模拟IC设计工程师，Sergey Alenin
高级模拟IC设计工程师，Tony Larson
高级模拟IC设计经理，Rod Burt
Analog & RF Models公司
技术顾问Bill Sands
( http://www.home.earthlink.net/%7Ewksands/ )

参考文献

《模拟集成电路的分析与设计》，作者： Gray、Paul R及Meyer、Robert G；1977年纽约John Wiley & Sons
出版社
《电子电路》，作者：Charles A；1978 年纽约John Wiley & Sons出版社

作者简介

从亚利桑那大学毕业获得电子工程学士 (BSEE) 学位后，Tim Green 24年来作为工程师一直致力于模拟及混合信号电路板／系统级设计工程方面的研究工作，涉及的范围包括无刷马达控制、喷气式飞机引擎控制、导弹系统、功率放大器、数据采集系统以及CCD摄影技术等。Tim近期的工作包括模拟及混合信号半导体产品的战略营销。Tim目前担任TI位于亚利桑那州图森市Burr-Brown产品部的线性应用工程经理。