实现高效率和低待机功耗的双管反激式转换器
高效率和低待机功耗是现今开关电源设计的两大难题,由于谐振拓扑或LLC拓扑能够满足高效率的要求,因而日益流行。然而在这种拓朴中,前PFC级必须在轻负载期间保持运作,造成谐振回路中存在内循环损耗,待机功耗成为一个头疼问题。对于没有附加辅助电源的应用,LLC谐振拓扑难以满足2013 ErP等新法规,在0.25W负载下输入功率低于0.5W的要求。双管反激式拓朴是能够应对效率和待机功耗两大挑战的解决方案,适用于75W~200W范围的电源。它提供了与LLC谐振解决方案相当的效率,还有大幅改良的待机功率性能。双管反激式拓朴能够成为颇具吸引力的解决方案,可替代复杂的LLC谐振转换器,用于笔记本电脑适配器、LED-TV电源、LED照明驱动器、一体型电脑电源和大功率充电器应用。
设计开关电源的挑战
现代设计开关电源的挑战大致分为五个部分。
•低待机功耗
•高效率
•高功率密度
•高可靠性
•低成本
用于75W~200W应用的理想解决方案,现有的单反激式转换器解决方案为目前最普遍的解决方案之一,有低待机功耗、低成本和易于设计等优点而被大量使用,但对于未来更高它不能解决所有设计挑战。现有的单反激式转换器解决方案面临着很多困难,难以达到> 90%的低效率问题、低功率密度、过高的MOSFET漏源电压和缓冲器损耗和发热问题都不利于高可性的要求,而且限制功率范围必须为150W以内。
为了提高效率和功率密度,可零电压切换的LLC转换器解决方案被逐渐使用,但这也不能解决所有设计挑战,例如,无辅助电源便不能满足2013 ErP Lot 6要求 (<0.5W@0.25W),还有在设计和生产过程中,对于变压器容差和栅极驱动时限敏感的问题。
双管反激解决方案 (75~200W)
双管反激解决方案分为三个部分,分别是FAN6920: BCM PFC + QR 组合;FAN7382: H/L 驱动器;FAN6204: SR控制器,如图1所示。
图1 飞兆半导体双管反击解决方案
双管反激主要特点
双管QR反激转换器主要特点分为四个方面,它在低待机功耗、高效率、易于设计和低EMI方面有显著的优势。
在低待机功耗方面,双管QR反激转换器能完全满足2013 ErP Lot 6要求。在PIN<0.5W @230Vac; PO=0.25W;PIN<0.25W@ 230Vac(无负载时)。
在高效率方面,双管QR反激转换器的特点表现在漏电感能量可以回收至输入,且无需有损耗的缓冲器;500V MOSFET可以用在初级端;初级端采用谷底开关以降低开关损耗;减小次级端整流器的电压应力;可使用可变PFC输出电压技术以提高整个系统的低压线路效率。
双管QR反激转换器具有易于设计的特点,它与熟知的传统反激式转换器设计相同,并且可以简便地实现变压器批量生产。它可以使用超低侧高变压器,无需考虑泄漏电感。
在EMI方面,双管QR反激转换器具有低EMI,漏极过冲电压被箝制在输入电压上;谷底开关等特点。
双管反激基本工作原理
双管反激与单管反激的基本原理相似,只是多了一个阶段2。阶段1、3、4与零谐振单管反激的工作原理相同。阶段1: Q1和Q2同时导通,变压器的电感电流将会线性增加并将能量储存于变压器中;当2个MOS管关闭时候就进入阶段2;阶段2:因为漏感所形成的高漏源电压会导致2个回收二极体导通,Q1和Q2截止,D1,D2导通;当漏感能量回收完毕,进入阶段3;阶段 3和4: Q1和Q2 截止,D1和D2截止。
双管反激的好处
双管反激的好处之一就是减少能量损耗。无缓冲器损耗和发热问题,漏电感能量可回收在大容量电容器中。
双管反激拓扑的好处之二是高可靠性和低开关损耗。由于低MOSFET漏源电压得到良好的可靠性,允许大匝数比(n)设计实现近似于ZVS开关的低开关损耗。
双管反激拓扑的好处之三是减小次级端传导损耗。SR MOSFET的VDS为:VIN/n+VOUT,大匝数比n对于SR MOSFET的好处是大n意味着较低的VDS,即较低MOSFET Ron,这样就得到了较低价格,降低了成本得到了较高的效率。举例说明,当VIN = 420V,Vo=12V,n= 12,那么,VDS=420V/12 +12V=47V,则可以选择60V或75V SR MOSFET。
双管反激拓扑的好处之四是可以提高低压线路效率。两级PFC输出以提高低压线路效率。
双管反激拓扑的好处之五是提高轻负载效率。深度扩展谷底开关(最多第12个谷底周期)允许轻负载下的低工作频率。
双管反激拓扑的好处之六是实现低待机功耗。双管反激拓扑无缓冲器损耗和发热问题,漏电感能量可回收在大容量电容器中。
双管QR反激与单开关反激比较
单开关对比双管QR反激转换器如图3所示,左边为单开关QR反激,右边为双开关QR反激。
图2 双管反激基本工作原理
图3 单开关对比双管QR反激转换器
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