宽带低EVM直接变频发射机

图6. EVM测量设置（原理示意图）

邻道泄漏比(ACLR)衡量相邻通道的功率与主通道功率的关系，用dBc表示。
LO相位噪声和调制器的线性度是ACLR的主要影响因素。ACLR测试设置与EVM测试设置大致相同，只不过同轴滤波器位于AD9788 DAC板的I/Q输出端，以便减少混叠产物。

频率(MHz)	复合EVM，无LO滤波	复合EVM，有LO滤波，滤波器C	调制器输出功率(dBm)
2140	3.50%	1.80%	−7
1800	3.40%	1.50%	−7
900	3.30%	0.90%	−7

表3. 单载波W-CDMA复合EVM结果：ADF4350 RF输出端有滤波器和无滤波器两种情况对比
（根据3GPP规范测试模型4测量）
以差分方式驱动ADL5375 LO输入，除了可以改善边带抑制和EVM之外，还具有性能优势。与单端LO驱动相比，调制器OIP2性能可以提高2 dB至5 dB。请注意，多数外部VCO仅提供单端输出，因此ADF4350采用差分输出优于使用外部VCO。
图7显示使用850 MHz至2450 MHz滤波器（滤波器b）的边带抑制结果。

宽带低EVM直接变频发射机 (CN0134)

图7. 850 MHz至2450 MHz滤波器b的边带抑制结果

常见变化
当单个滤波器无法完成所需的宽带操作时，可以使用ADF4350的辅助输出，在两种类型的滤波器之间切换。图8显示了这种情况：使用一个RF双刀四掷开关(DP4T)选择滤波器1或滤波器2的差分输出。

宽带低EVM直接变频发射机 (CN0134)

图8. 利用ADF4350的主输出和辅助输出实现滤波器切换的应用图