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带曲率补偿、工作电压1.2 V、可调带隙基准电压电路

时间:10-23 来源:互联网 点击:
5 运放设计

带隙基准电压电路也可以由PMOS和NMOS管构成的简单放大电路和双极型晶体管组成,但是要得到比较高的电源抑制,一般都采用运放[1]。本设计所用到的三种带隙基准电压电路都是采用同一个运放。为得到较大的开环增益,该运放采用图2所示两级共栅共源结构,工作电压2.5 V,输入共模范围:O.7~1.7 V,输出电压摆幅:0.45~2.35 v,运放开环增益85 dB,相位裕度55°,单位增益带宽30 MHz,功耗0.645 mw。图5为运放具体结构。

运放里面包含一个25μA的参考电流源,在文献所提到的结构,由于电阻的温度系数比较大,在-25~125℃的温度扫描中,在大于某一温度以后运放会不再工作,原因是电阻上电压的变化,使得该参考电流源中的MOS管不再工作在饱和区,为了解决这个问题,用一个PMOS管M44代替原来的电阻,使得各个管子在-25~125℃的温度范围里都工作在饱和区。该参考电流源具有自启动和自关闭的功能,体现在NMOS管M50上,对其进行0~3 V供电电压进行变量扫描,从流过M50的电流可以看到M50在供电电压上升到O.25 V的时候会自动开启,有12.81 pA的微小电流流过,在2.17 V会自动关闭。当电路开始工作,电压瞬间从0变化到2.5 V,M50会有一个开启和关断的过程,从后面所用1.2 V工作电压来看,发现M50在这个电压下一直处于开启状态,但是仔细计算功耗,会发现即使M50一直处于开启状态,他对整个电路的影响也是微乎其乎,因为增加M50的前提是保证电流源能够开启。



通过对3种带隙基准电路进行仿真,标识电路所有节点的电压,可以看到运放正常工作,而且在-25~125℃温度扫描中,两个输入端Vin+和Vin-的节点电压相等,实现运放理想状态的虚短。

6 工作在1.2 V的带隙基准电压电路

随着工艺的不断发展和降低功耗的要求,电路的工作电压不断地降低。

在仿真和分析运放时,运放中的参考电流源在0.25 V电压下就会开启,通过对图3电路工作电压从O~3 V进行扫描,我们发现工作电压大于1 V以后图6电路就可以正常工作,为保证电路稳定工作,工作电压可以取1.2 V。

通过-25~125℃VREF的仿真结果,计算出温度系数TC=5.34 ppm/℃。对电源电压进行1.1~1.3 V扫描,VREF从625 mV变化到622.4 mV,PSRR=32.8 dB。温度系数比工作在2.5 V下的温度系数TC=3.10 ppm/℃大了很多。计算电路功耗为0.36 mW,如果从低压和功耗这两个方面来考虑,该电路也同样具有可行性。

7 结 语

通过对3种带隙基准电压电路进行分析和仿真,比较3种电路的实验结果。如果要求较小的温度系数,可以选择带曲率补偿可调节的带隙基准电压电路,使其在2.5 V工作电压下工作,在-25~125℃的范围内,TC=3.10 ppm/℃,PSRR=54.6 dB,功耗为0.859 mW。如果要求较低的工作电压,电路可以工作在1.2 V下,功耗为0.36 mW,但是前提是牺牲一定的温度系数和电源电压抑制比,因为在1.2 V电压下,运放工作稳定性会相对较差。

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