关于MOSFET的双峰效应量化评估研究

5 结 语

MOSFET的中心区域和侧壁位置的有效掺杂粒子浓度的均匀分布是解决双峰效应的根本条件。不论这两个位置的有效掺杂浓度差异的形成原因，理论上都可以找到一个比较优化的工艺条件，使得有效掺杂浓度分布均匀，从而减少或消除双峰效应的影响。通过对双峰效应的量化评估，建立掺杂浓度和双峰效应相互关系的模型，从定性和定量的角度进一步了解和确定优化条件。