一种实现RS 422通信协议的接口电路

4 版图设计

(1)为了防止电阻寄生的PN结正向导通，图4比较电路中R1，R2，R3，R4不能选取有源区电阻，只能选取多晶硅电阻。绘制时要注意匹配，如采用1∶2∶4的匹配方式。为了保证所有电阻所处的光刻环境一样，还在电阻阵列2边增加了dummy电阻。

(2)对称性设计：电路中所有对称的MOS管及PNP管都要注意匹配，绘制版图时，可以把一个大的MOS管分成若干小管，采用共质心对称的方式以避免工艺的横向偏差和纵向偏差的影响，并添加dummy管。对于PNP管，如发射极面积比为1∶8的Q4和Q3，可采用1∶8的排列方式，即将Q3分成8个相同的PNP管，对称排列在Q4周围。

(3)ES[)设计：ESD不仅仅要在放在I/O PAD旁，VDD及GND之间的ESD保护同样要引起高度注意，这可以通过添加sLtpply clamp电路实现。ESD器可采用LVTSCR结构以获得更加稳定的性能。

(4)输山功率管设计：对于驱动器部分的输山火功率管，采用又指晶体管的设计方式，以减少漏源结面积和栅电阻。

(5)保护环设计：为保护一些结构，要在适当的电路外围添加保护环。本芯片采用P衬底N阱工艺，有2种保护环，N阱的周围应该加吸收少子电子的N型保护环(nt-ap)，ntap环接VDD，隔离衬底噪声;P衬底的周围应该加吸收少子空穴的P型保护环(ptap)，ptap环接gnd，吸收衬底噪声。而且双环对少子的吸收效果比单环好。添加保护环可有效防止闩锁效应的发生。由于电路中功率管宽长比较大，其上的电流及消耗的功率也较大，容易干扰其他电路，因此需要在功率管及附近的电路的周围分别都添加保护环。

5 结 语

设计了一款适用于RS 422通信协议的接口芯片，他具有高传输速率、大驱动电流、低静态关断电流的特点，且具有多种保护电路，能抵抗恶劣环境，可广泛用于各类数据通信领域。