一种实现RS 422通信协议的接口电路
时间:12-06
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目前通用的串行通信接口标准主要有RS 232,RS 422和RS 485,其中RS 232属于单端不平衡传输协议,传输距离短,抗干扰性差;RS 485与RS 422均为平衡通信接口,但RS 485他只有一对双绞线,工作于半双工模式。RS 422属于一种平衡通信接口,采用全双工通信模式,传输速率高达10 Mb/s,传输距离长2 000 m,并允许在一条平衡总线上连接最多10个接收器。由于该类电路的优异性能,RS 422接口芯片已广泛应用于工业控制、仪器、仪表、多媒体网络、机电一体化产品等诸多领域。
1 系统概述
RS 422通信接口芯片系统框图如图1所示,主要包含数据发送模块和接收模块。接收模块主要是将通信总线差分电压转换成数字量送给主机,发送模块主要是将主机发送的数字量转换成差分电压输出。DIN是TTL/CMOS信号输入端口,TX1,TX2为相应的差分信号输出端。RX1,RX2为差分信号输入端口,DOUT为TTL/CMOS电平输出口。EN为使能输入端,通过使能模块控制整个芯片的工作与否。此外还含有温控模块,在高温下关断芯片,起到过热保护的作用。
2 电路设计
根据RS 422通信规范的描述,数据发送端使用2根信号线发送同一信号(2根线的极性相反),在接收端对这两根线上的电压信号相减得到实际信号。逻辑"1"以两线间的电压差为+(2~6 V)表示,逻辑"0"以两线间的电压差为-(2~6 V)表示。
因此,发送器的目的就是要接收TTL/CMOS信号并把他转换为一对符合要求的差分信号,而接收器则与之相反。
2.1发送器电路的设计
发送器电路的设计有2种方法,一种不限摆率,发送数据速度可达10 Mb/s,但受信号在传输线上的反射(re-flection)、电磁干扰(electron magnet interference)的影响,传输距离较短;另一种采取限摆率技术,通过降低数据传送速度达到长距离传输的目的。本文采取第一种方法。
在CMOS工艺下,这种电路很容易实现,关键是选择具有合适尺寸的电路使其符合输出电流及功率要求。如图2所示为本文设计的电路图,电路要求是输出电平同TTL电平的兼容,所以输功率管采用的都是NMOS管。
图2中DIN为数据输入端,EN为使能端,EN为高电平时电路工作。当DIN为高时,N0及N3导通而N1,N2截止,T1输出高电平而T2输出低电平。反之,若DIN为低时,N0及N3截止而N1,N2导通。这样,逻辑控制电路便将标准的TTL/CMOS信号分为2路大小相等,相位相反的差分信号T1和T2。为提供合适的驱动电流,输出管采用较大的尺寸。
2.2接收器电路设计
接收电路接收RS 422的标准差分信号并将其转化为CMOs/TTL电平,其核心电路为一比较器,主要功能是完成差分信号R1,R2的比较,若R1>R2,则输出高电平1,若R1
如图3所示,P14~P16与N14,N15构成启动电路,P12,P13与N12,N13,R0构成偏置电路,P0~P6与。N0~N5为比较电路,该比较器利用内部正反馈实现迟滞电压控制,以防止受噪声干扰造成输出端的频繁跳变。迟滞电压可通过调节N0,N1,N2,N3的宽长比来实现。以N1,N2支路为例,阐述阈值电压的推导:当R1为高,R2为低时,P1及N1,N2支路导通:R2不断降低,与R1差值达到VTRP输出跳变:
本文选择100 mV的迟滞电压,有效保证了系统的稳定性。由比较器输出的电压,经过施密特触发器及反相器整形后,成为标准的方波信号输出。
2.3过温保护电路的设计
过温保护电路如图4所示。
电路中使用与发送电路中结构相同的迟滞比较器,设置了95℃和135℃两个温度跳转点,消除了热振荡现象。
温度保护电路的工作原理如下:N5,N6,P2,P3,P4, Q3,Q4及R4,R3,R1构成基准发生电路,Y为基准电压输出点。由于共源共栅器件的作用,N5,N6源端电位近似相等,可得:
其中n为Q4,Q3发射极面积之比,取R2=R3,则:
基准电压:
通过调节R2与R1的比值使基准电压具有零温度系数,调节R4的值使输出合适的基准电压值。
X点电压大约为3VBE,由于VBE是一个具有负温度系数的量,因此随温度的上升而下降。常温时,X点电位高于Y点电位,OUT端输出高电平,芯片正常工作。当温度上升至135℃时,X点电位低于Y点电位,比较器输出低电平,芯片关断。当芯片温度再次下降,低到95℃时,比较器再次翻转,芯片恢复正常工作。
3 仿真结果
3.1发送电路的仿真
波形从上至下依次为:使能信号EN、输入波形、TX1、TX2、负载电阻电流。从图5中可以看出,发送器电路能够将一路CMOS信号转换为一对大小相等、方向相反的差分信号。在带100 Ω负载时,输出高电平为3 V,低电平0.3 v,负载电流27 mA,延迟9 ns上升时间4 ns,下降时间5 ns。使能信号EN为低时,电路不工作。
3.2接收电路的仿真
图6给出了接收电路的仿真情况,他能够将差分信号转换为标准CMOS电平,延迟大约为2 ns,上升约为0.5 ns,下降时间约为1 ns,迟滞电压约为1 00 mV。
3.3过温保护模块的仿真
对温度保护电路在0~140℃范围内进行扫描可得如上曲线,当芯片温度上升至大约在135℃时,温度保护模块输出低电平,关断芯片。当芯片温度下降至95℃时,温度保护模块输出电平跳变,芯片恢复正常工作。
1 系统概述
RS 422通信接口芯片系统框图如图1所示,主要包含数据发送模块和接收模块。接收模块主要是将通信总线差分电压转换成数字量送给主机,发送模块主要是将主机发送的数字量转换成差分电压输出。DIN是TTL/CMOS信号输入端口,TX1,TX2为相应的差分信号输出端。RX1,RX2为差分信号输入端口,DOUT为TTL/CMOS电平输出口。EN为使能输入端,通过使能模块控制整个芯片的工作与否。此外还含有温控模块,在高温下关断芯片,起到过热保护的作用。
2 电路设计
根据RS 422通信规范的描述,数据发送端使用2根信号线发送同一信号(2根线的极性相反),在接收端对这两根线上的电压信号相减得到实际信号。逻辑"1"以两线间的电压差为+(2~6 V)表示,逻辑"0"以两线间的电压差为-(2~6 V)表示。
因此,发送器的目的就是要接收TTL/CMOS信号并把他转换为一对符合要求的差分信号,而接收器则与之相反。
2.1发送器电路的设计
发送器电路的设计有2种方法,一种不限摆率,发送数据速度可达10 Mb/s,但受信号在传输线上的反射(re-flection)、电磁干扰(electron magnet interference)的影响,传输距离较短;另一种采取限摆率技术,通过降低数据传送速度达到长距离传输的目的。本文采取第一种方法。
在CMOS工艺下,这种电路很容易实现,关键是选择具有合适尺寸的电路使其符合输出电流及功率要求。如图2所示为本文设计的电路图,电路要求是输出电平同TTL电平的兼容,所以输功率管采用的都是NMOS管。
图2中DIN为数据输入端,EN为使能端,EN为高电平时电路工作。当DIN为高时,N0及N3导通而N1,N2截止,T1输出高电平而T2输出低电平。反之,若DIN为低时,N0及N3截止而N1,N2导通。这样,逻辑控制电路便将标准的TTL/CMOS信号分为2路大小相等,相位相反的差分信号T1和T2。为提供合适的驱动电流,输出管采用较大的尺寸。
2.2接收器电路设计
接收电路接收RS 422的标准差分信号并将其转化为CMOs/TTL电平,其核心电路为一比较器,主要功能是完成差分信号R1,R2的比较,若R1>R2,则输出高电平1,若R1
如图3所示,P14~P16与N14,N15构成启动电路,P12,P13与N12,N13,R0构成偏置电路,P0~P6与。N0~N5为比较电路,该比较器利用内部正反馈实现迟滞电压控制,以防止受噪声干扰造成输出端的频繁跳变。迟滞电压可通过调节N0,N1,N2,N3的宽长比来实现。以N1,N2支路为例,阐述阈值电压的推导:当R1为高,R2为低时,P1及N1,N2支路导通:R2不断降低,与R1差值达到VTRP输出跳变:
本文选择100 mV的迟滞电压,有效保证了系统的稳定性。由比较器输出的电压,经过施密特触发器及反相器整形后,成为标准的方波信号输出。
2.3过温保护电路的设计
过温保护电路如图4所示。
电路中使用与发送电路中结构相同的迟滞比较器,设置了95℃和135℃两个温度跳转点,消除了热振荡现象。
温度保护电路的工作原理如下:N5,N6,P2,P3,P4, Q3,Q4及R4,R3,R1构成基准发生电路,Y为基准电压输出点。由于共源共栅器件的作用,N5,N6源端电位近似相等,可得:
其中n为Q4,Q3发射极面积之比,取R2=R3,则:
基准电压:
通过调节R2与R1的比值使基准电压具有零温度系数,调节R4的值使输出合适的基准电压值。
X点电压大约为3VBE,由于VBE是一个具有负温度系数的量,因此随温度的上升而下降。常温时,X点电位高于Y点电位,OUT端输出高电平,芯片正常工作。当温度上升至135℃时,X点电位低于Y点电位,比较器输出低电平,芯片关断。当芯片温度再次下降,低到95℃时,比较器再次翻转,芯片恢复正常工作。
3 仿真结果
3.1发送电路的仿真
波形从上至下依次为:使能信号EN、输入波形、TX1、TX2、负载电阻电流。从图5中可以看出,发送器电路能够将一路CMOS信号转换为一对大小相等、方向相反的差分信号。在带100 Ω负载时,输出高电平为3 V,低电平0.3 v,负载电流27 mA,延迟9 ns上升时间4 ns,下降时间5 ns。使能信号EN为低时,电路不工作。
3.2接收电路的仿真
图6给出了接收电路的仿真情况,他能够将差分信号转换为标准CMOS电平,延迟大约为2 ns,上升约为0.5 ns,下降时间约为1 ns,迟滞电压约为1 00 mV。
3.3过温保护模块的仿真
对温度保护电路在0~140℃范围内进行扫描可得如上曲线,当芯片温度上升至大约在135℃时,温度保护模块输出低电平,关断芯片。当芯片温度下降至95℃时,温度保护模块输出电平跳变,芯片恢复正常工作。
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