探讨放大器噪声的来源
影响双电源放大器总谐波失真加噪声(THD+N) 特性的主要因素是输入噪声和输出级交叉失真。单电源放大器的THD+N性能源于放大器的输入和输出级。然而，输入级对THD+N的影响又让单电源放大器的这种规范本身复杂化。
有两种单电源放大器拓扑可以接受电源之间的输入信号。图1a所示拓扑具有一个互补差动输入级。在该拓扑中，放大器的输入位于负轨附近时，PMOS晶体管为"开"，而NMOS晶体管为"关"。当放大器的输入更接近于正电压轨时，NMOS晶体管为"开"，而PMOS晶体管为"关"。
这种设计拓扑在共模输入范围会存在极大的放大器失调电压差异。在接地电压附近的输入范围，PMOS晶体管的失调误差为主要误差。在正电源附近的区域，NMOS晶体管对主导失调误差。由于放大器的输入通过这两个区域之间，因此两个对均为"开"。
最终结果是，输入失调电压将在两个级之间变化。当PMOS和NMOS均为"开"时，共模电压区域约为400 mV。这种交叉失真现象会影响放大器的总谐波失真(THD)。
如果您以一种非反相结构来配置互补输入放大器，则输入交叉失真就会影响放大器的THD+N性能。例如，在图2中，如果不出现输入过渡区域，则THD+N等0.0006%。如果THD+N测试包括了放大器的输入交叉失真，则THD+N等于0.004%。您可以利用一种反相结构来避免出现这类放大器交叉失真。
图1 a)互补输入级、单电源放大器，b)带一个正充电泵的单差动对输入级
图2 一个互补输入级单电源放大器的THD+N性能
另一个主要的THD+N影响因素是运算放大器的输出级。通常，单电源放大器的输出级有一个AB拓扑(请参见图1a)。输出信号做轨至轨扫描时，输出级显示出了一种与输入级交叉失真类似的交叉失真，因为输出级在晶体管之间切换。一般而言，更高电平的输出级静态电流可以降低放大器的THD。
放大器的输入噪声是影响THD+N规范的另一个因素。高级别的输入噪声和/或高闭环增益都会增加放大器的总THD+N水平。
要想优化互补输入单电源放大器的THD+N性能，可将放大器置于一个反相增益结构中，并保持低闭环增益。如果系统要求放大器配置为非反相缓冲器，则选择一个具有单差动输入级和充电泵的放大器更为合适。
本文转载自网络，如有侵犯您的权益，请及时与我们联系，我们将核实后进行删除!
- 自适应RF前馈放大器的设计(03-26)
- GPS接收机的低噪声放大器设计(04-28)
- 带宽为100MHZ的超宽带DC放大器(05-16)
- 射频功率放大器实时检测的实现(03-29)
- 基于FLM3135-18F的S波段微波功率放大器设计(01-10)
- 低噪声放大器的设计与仿真(09-14)
