一种交织器和解交织器的FPGA电路实现
时间:06-28
来源:互联网
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电路特点分析
仍然以I=12,M=17的交织器和解交织器为例。
图4:交织器和解交织器
图5:波形仿真图
本设计采用单倍实现所用的存储单元总数Nram=[(I-1)×M/2+1]×I=1134,相应要用到地址总线的位数为Nad=ceil[log2(Nram)]=11。也就是说,要用到2k的双端口RAM,读写地址线各11根。
而采用一般的双倍实现占用的存储单元总数Nram=[(I-1)×M+1]×I=2256,相应要用到地址总线位数Nad=ceil[log2(Nram)]=12。如果采用双倍实现,要用到4k的双端口RAM,读写地址线各12根。
理论上最简存储单元的占用量为Nram=[(I-1)×M×I/2 =1122,地址总线位数为Nad=ceil[log2(Nram)]=11,所以单倍实现的优点是显而易见的,其占用存储单元数为双倍实现的一半,读写地址线各少1根,接近于最简占用量。只要交织深度I不是很深,该设计方法使用的逻辑单元门数并不多,而且可以节约大量的存储单元,效果是显而易见的。
仍然以I=12,M=17的交织器和解交织器为例。
图4:交织器和解交织器
图5:波形仿真图
本设计采用单倍实现所用的存储单元总数Nram=[(I-1)×M/2+1]×I=1134,相应要用到地址总线的位数为Nad=ceil[log2(Nram)]=11。也就是说,要用到2k的双端口RAM,读写地址线各11根。
而采用一般的双倍实现占用的存储单元总数Nram=[(I-1)×M+1]×I=2256,相应要用到地址总线位数Nad=ceil[log2(Nram)]=12。如果采用双倍实现,要用到4k的双端口RAM,读写地址线各12根。
理论上最简存储单元的占用量为Nram=[(I-1)×M×I/2 =1122,地址总线位数为Nad=ceil[log2(Nram)]=11,所以单倍实现的优点是显而易见的,其占用存储单元数为双倍实现的一半,读写地址线各少1根,接近于最简占用量。只要交织深度I不是很深,该设计方法使用的逻辑单元门数并不多,而且可以节约大量的存储单元,效果是显而易见的。
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