无源元件并非真的“无源”：第1部分——电容

　　晶体管、集成电路等有源器件利用来自电源的能量对信号进行转换，而电阻、电容、电感以及连接器等无源元件则不消耗电能——或许是我们的假设。由于无源元件均具有寄生参数，它们实际上会以不可预知的方式改变信号。本文分为3部分，这里为第1部分，讨论寄生电容的影响。

　　引言

　　有源元件和无源元件——在工程设计领域真的是非白即黑吗？

　　晶体管和集成电路由于利用来自电源的能量改变信号，所以被认为是有源元件。基于这个依据，我们将电容、电阻、电感、连接器，甚至是印刷电路板（PCB）称为无源元件，因为它们看起来不耗电。然而，由于无源元件均具有寄生参数，它们实际上也会以不可预知的方式改变信号。所以，许多所谓的无源元件并非真的"无源"。本文分为3部分，这里为第1部分，专注于讨论电容的有源特性。

　　并非完全无源的电容

　　无源可定义为惰性和/或不活跃，但无源电子元件会以不可预知的方式成为有源电路的一部分。所以，纯容性电容实际上是不存在的。所有电容在本质上都存在一定的寄生成分（图1）。

　　

　　图1. 电容（C）及其最大的寄生元件。

　　我们进一步观察图1所示寄生元件。标有"C"的电容是我们的考察对象，其它所有元件则是不希望存在的寄生元件1。并联电阻RL引起泄漏，从而改变有源电路的偏置电压、滤波器的Q因子，并影响采样-保持电路的保持能力2。等效串联电阻（ESR）则会降低电容抑制纹波和通过高频信号的能力，因为等效串联电感（ESL）形成谐振电路（即自谐电路）。这意味着，在自谐频率以上时，电容呈现为电感，不再具备电源与地之间的高频噪声去耦作用。电容介质可能是压电介质，增加振动产生的噪声 （AC），就好像电容C内部嵌入了电池（未绘出）。冷焊应力造成的压电效应可以改变电容值。压电电解电容也具有等效的串联寄生二极管（未绘出），这些二极管会对高频信号进行整流，改变偏置或增大信号失真。

　　较小的电池SB1至SB4表示塞贝克（Seebeck）结3，是由不同金属（寄生热电偶）在此形成的电压源。当我们连接测试设备时，需要考虑共用连接器的塞贝克效应。Jim Williams在参考文献4中指出，BNC和橡胶插头连接器对的热电势范围为0.07µV/°C至1.7µV/°C （附录J，图J5）。这一变化只适合我们日常在实验室内部的简单连接。将看起来较小的失调增益乘以1000，就达到1.7mV——这是我们尚未实际开始操作就存在的。

　　SB2和SB3可能是电容内部连接引线的箔，或连接至焊盘或表贴元件焊料的金属化物。SB1和SB4表示器件通过焊料到PCB铜线的结。以往的焊料是63%的铅和37%的锡，但现在使用的符合RoHS标准的无铅焊料成分变化很大，会影响电容附近的电压，所以必须查询合金成分。

　　可对介质吸收（DA）或Bob Pease所称的"渗透"进行建模，等效为无数个RC时间常数：DA1至DAINFINITY，其中每个时间常数由电阻RDA和电容CDA组成。Bob Pease列举了一些"渗透"非常重要的实例，本文附录中介绍了一段关于吸收的有趣经历。

　　"如果您关闭彩色电视机，然后打开后盖，那么在您开始操作之前首先必须要做的是什么？在螺丝刀上连接一条地线，然后接触高压插头上的橡胶垫圈下方，对CRT放电。那好，现在电容已经放电了，如果让这一过程持续大约10分钟，那么有多少电压将"渗透"回显像管的"电容"？当您第二次放电时，足以造成可见的电弧这就是我所说的介质吸收5。"

　　由此可见，电容会随着作用电压的改变而改变。然后再加上老化、温度的影响，以及其它可能造成电容器物理损坏的众多因素6，这种简单的无源元件就变得非常复杂。

　　现在，我们应该讨论一下与自激有关的因素，这是去耦电容以及接地不良的电容最常见的问题。如果接地不良，任何电容都不能正常工作。电容自激主要受图1所示ESL的影响，当然，PCB过孔也会产生一定的影响。工作在射频频段时，这些过孔将影响小电容的自激点。以图2为例，讨论了1µF电容的曲线。

　　

　　图2. 三个电容的自激频率（曲线的最低点），图示表明，电容的性能并不完全一致。在左侧，当曲线（阻抗）向下移动时，电容表现为电容。当达到其最低点时，电容呈现为电感（ESL），不再是有效的去耦电容。

　　1µF曲线在4.6MHz时达到最小，高于该频率时，ESL占支配地位，电容的工作特性表现为电感。由此，去耦电容在高频下称为一个双向导体：对于电源总线上的高频信号而言，电源线与地短接，反之亦然。电容模糊了电源和地之间的差异。

随着对信号频率和电容的深入考察，我们