电子工程师超级实用了!各种元器件应力降额速查表汇总
| 0.80 | 0.80 | |||||
| 反射功率 | 0.50 | 0.50 | 0.50 | |||
| 占空比 | 0.75 | 0.75 | 0.75 | |||
| 声表面波器件 | 输入功率(f>100MHz) | 降低+10dBm | ||||
| 输入功率(f<100MHz= | 降低+20dBm | |||||
| 纤维光学器件 | 光纤光源 | 峰值光输出功率 | 0.50(适用于ILD) | |||
| 电流 | 0.50(适用于ILD) | |||||
| 结温 | 设法降低 | |||||
| 光纤探测器 | PIN反向压降 | 0.60 | ||||
| 结温 | 设法降低 | |||||
| 光纤与光缆 | 温度 | 上限额定值-20;下限额定值+20 | ||||
| 张力 | 光纤 | 耐拉试验的0.20 | ||||
| 光缆 | 拉伸额定值的0.50 | |||||
| 弯曲半径 | 最小允许值的0.20 | |||||
| 核辐射 | 按产品详细规范降额或加固 | |||||
| 导线与电缆 | 最大应用电压 | 最大绝缘电压规定值的0.50 | ||||
| 最大应用电流(A) | 线规AVG | 30/28/26/24/22/20/18/16 | ||||
| 单根导线电流ISV | 1.3/1.8/2.5/3.3/4.5/6.5/9.2/13.0 | |||||
| 线规AVG | 14/12/10/8/6/4 | |||||
| 单根导线电流ISV | 17.0/23.0/33.0/44.0/60.0/81.0 | |||||
双极型数字电路降额准则
| 降额参数 | 降额等级 | ||
| Ⅰ | Ⅱ | Ⅲ | |
| 电源电容容限 | ±3% | ±5% | 见技术条件 |
| 频率 | 0.80 | 0.90 | 0.95 |
| 输出电流 | 0.80 | 0.90 | 0.90 |
| 最高结温(C) | 85 | 100 | 115 |
HP电压降额标准
| 器件型号 | 正常状态 | 最差状态 | ||||||||||||||||
| 电阻 | 峰值电压(%) | 功率 (%) | 温度 | 峰值电压(%) | 功率 (%) | 温度 | ||||||||||||
| 碳膜、金属膜 | 50 | 50 | PCB的标准焊接温度 £ 85° C | 50 | 80 | PCB的标准焊接温度 £ 100° C | ||||||||||||
| ³ 100 Kohm | £1/4 W | |||||||||||||||||
| 1/2 W | 50 | 50 | 50 | 80 | ||||||||||||||
| ³ 1 W | 40 | 50 | 40 | 80 | ||||||||||||||
| < 100 Kohm | £1/4 W | 80 | 50 | 80 | 80 | |||||||||||||
| 1/2 W | 80 | 50 | 80 | 80 | ||||||||||||||
| 1 W | 80 | 60 | 80 | 80 | ||||||||||||||
| ³ 2 W | 80 | 50 | 80 | 60 | ||||||||||||||
| 玻璃釉电阻 | 70 | 60 | ||||||||||||||||
| 压敏电阻 | 80 | 50 | 80 | 80 | ||||||||||||||
| 不同功率下的峰值电压:1/6 W-200(150)V;1/4 W-250V;1/2 W-350 V;1W-350 V;2W-350V;3W-500 V;5W-500V | ||||||||||||||||||
| 器件型号 | Isteady (%) | Im (%) | Isteady (%) | Im (%) | ||||||||||||||
| NTC-电阻 | ||||||||||||||||||
| PTC-电阻 | 80 | 80 | ||||||||||||||||
| 电容 | V DC (%) | V CP (%) | V peak (%) | I rms (%) | I p-p (%) | Temp (%) | V DC (%) | V CP (%) | V peak (%) | I rms (%) | I p-p (%) | Temp (%) | ||||||
| 薄膜电容 | 85 | 85 | ||||||||||||||||
| PE | ||||||||||||||||||
| MPE | 90 | 85 | ||||||||||||||||
| MPP | 85 | 85 | 85 | |||||||||||||||
| Ceramic fixed 陶瓷电容 | 75 | 80 | 90 | 90 | ||||||||||||||
| Electrolytic (85° C, 2000 h) | 80 | 80 | 85 | 60 | 90 | 95 | 90 | 70 | ||||||||||
| Electrolytic (105° C, 2000 h) | 80 | 80 | 90 | 60 | 90 | 95 | 90 | 70 | ||||||||||
| Component Typ | Normal Case | Worst Case | ||||||||||
| Inductors | Core Temp (°C) | Core Temp (%) | Core Temp (°C) | Core Temp (%) | ||||||||
| Choke Coil | 80 | |||||||||||
| Transformer | ||||||||||||
| Semiconductors | Tj min. = 150°C Note: Tj to Tcase has to be calculated for verification in any case | |||||||||||
| Diode | Vrm (%) | Io (%) | I fsm (%) | Tcase (°C) | Vrm (%) | Io (%) | I fsm (%) | Tcase (°C) | ||||
| 90 | 50 | 70 | 90 | |||||||||
| Zener Diode | Pd (%) | Iz (%) | IFM (%) | Tcase (°C) | Pd (%) | Iz (%) | IFM (%) | Tcase (°C) | ||||
| 50 | 50 | 80 | 90 | |||||||||
| Damp/ModulationDiode | Vrm (%) | Io (%) | I fsm (%) | Tcase (°C) | ||||||||
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