设计更安全、更小的下一代高性能医疗产品

状态改变（位翻转）。

　　对于快闪存储器单元，情形则大不相同，快闪是一种非易失性存储结构，包括位于控制栅和下部MOSFET结构之间的浮动栅，封装在良好的电介质中（见图2），在离子攻击或接近快闪单元耗散区时，它仍然沉积电荷。然而，快闪单元存储位翻转所需的临界电荷量（QCRIT）远远大于SRAM单元，而且用于配置的快闪单元还具有非常稳健的结构。因此，用于FPGA配置的快闪单元具有SEU事件免疫能力。

　　
图2：快闪存储器单元

　　小型化对于医疗设备日益重要，同时设计人员必须提供更好的功能性、电池寿命和安全性，而这需要最佳的安全性、可靠性和功效。最新的FPGA技术结合了超低功率芯片设计和先进的封装技术，有助于显着减小器件体积。与替代方法相比，可将更多的功能性放入更小的空间中，同时提升功效。选择flash- based FPGA技术，能够同时降低致命的安全漏洞的风险，同时可为用于放射治疗环境的设备提供SEU免疫能力。

　　作者：美高森美公司通信和医疗产品部（CMPG） 高级副总裁/总经理 Stephen J. Swift