车用栅极驱动器涵盖所有应用 助力汽车系统设计

00V）降低成一个可调充电电压。转换器的大小由其目标兼容性以及AC电源确定。

　　由于高功率要求，所需工作频率持续提高以减少磁路重量和体积。使用现今的IGBT进行的设计通常被限制为小于100kHZ。使用MOSFET的应用可能以250kHZ或者更高的功率工作。许多设计采用诸如串联谐振操作和零电压开关这类技术要驱动这些较大功率全桥应用中使用的大功率器件，进行快速开关和精度控制，飞兆半导体高电流HVIC提供超过4Amp的峰值灌电流和拉电流，加快上升和下降时间（小于15/25nS）并降低传导时间（小于150nS）。实现运行稳健性的关键特征包括采用滞洄的输入抗干扰性能和输出共桥点上允许的较大负电压摆幅。飞兆半导体将后者称之为–Vs额定值，对于所有符合AECQ100的HVIC而言，当Vb=15V时，该值通常为-9.8V。为了防止栅极驱动不足，对每个循环周期都进行欠压锁定操作。它们独立于FAN7190_F085的高低驱动器部分。

　　选择设计方面

　　进行实际设计时，栅极电路上的电阻网路必须是最小的，以便控制峰值栅极电流，提高瞬态免疫性，改善辐射，抑制诸如栅极振荡等寄生效应，在供电和省电模式下创造众所周知的"关闭"条件。注意，寄生电感、大电流通路中的偏压以及开关瞬态都是很重要。产品资料和应用指南均提供了栅极电流通路中针对导通和关断周期的重要指导。

　　在HVIC中，接在Vs和中心负载点之间如串联电阻一样简单的元件可以提高瞬态免疫性。尤其要注意自举电源以保护Vb瞬态，防止导致IC失效的过压状况。常见的一个错误是根据充电时间、栅极导通峰值电流和导通状态下的电流消耗选择自举电容的结构和电气参数。这里提供若干应用指南可帮助设计人员为低边和高边驱动电路选择元件，并根据设计选择HIVC自举元件。

　　栅极驱动器的电路模拟通常是由简单的行为模型完成的。理想电源可用于已定义的上升和下降时间，传播延迟以及数据表中的其它关键特征。电流驱动能力可使用串联输出电阻来模拟，选择该电阻用于支持峰值栅极电流以及Vb/2时的输出，如数据表所示。

　　幸运的是，HEV/EV技术的发展为今天的设计人员提供丰富的知识和参考资料，这些参考资料在几年前都并不存在。随着多个OEM的出现，产生了新一代具有广阔市场的高压系统汽车，这里也提供一些实践经验。在当今的半导体行业中，通过客户让供应商了解未来的功能需求。
　　作者：飞兆半导体公司John Hargenrader

本文转摘自电子发烧友网《汽车电子特刊》5月刊