新型柔性微处理器：由超薄二维材料二硫化钼制成！

　　原子级厚度的超薄二维材料，不仅可以制造出微处理器，而且也将推进传统微处理器的革新，使其广泛应用于柔性电子领域。最近，奥地利维也纳技术大学和欧盟石墨烯旗舰项目的科研人员在该领域取得了突破性进展，有望进一步推动物联网、智能硬件等应用领域的发展。

　　技术关键字

　　二维材料、微处理器、柔性电子

　　背景介绍

　　二维材料

　　前几天，John 在《重磅：科学家利用二维纳米材料喷墨打印晶体管！》一文中，介绍了爱尔兰科学家利用二维材料（石墨烯、二硒化钨、氮化硼）喷墨打印晶体管的发明，同时也对二维材料进行了相关介绍，让我们再次回顾一下：

　　「二维材料」是指电子仅可在两个维度的非纳米尺度（1-100nm）上自由运动（平面运动）的材料，例如石墨烯、氮化硼、过渡族金属化合物（二硫化钼、二硫化钨、二硒化钨）、黑磷等等。

　　二维材料，一般由一层或者几层原子组成，我们之前重点关注的石墨烯就是一种著名的二维材料。除此以外，和石墨烯类似的一些材料，例如过渡性金属双硫属化合物也属于二维材料，它们不仅尺寸小、轻薄、柔软，最重要是具有优秀的半导体特性，十分适用于柔性电子设备。

　　微处理器

　　「微处理器」，是当代电子工业的核心器件。无论是智能手表、智能手机、智能家电等消费电子产品，还是超级计算机、汽车引擎控制、数控机床、导弹精确制导等都高精尖技术产品，都离不开微处理器的作用。

　　微处理器，一般由一片或几片大规模集成电路组成，能读取和执行指令，与外界存储器和逻辑部件交换数据，是微型计算机的核心运算控制部分。

　　如今，微处理器制造所用的材料基本上全是硅。而硅材料的瓶颈如主要有以下两方面：

　　性能瓶颈，正如我之前在《摩尔定律，是生存还是毁灭？》一文中所说，现在硅材料的半导体芯片，性能增速放缓，且接近物理极限。

　　不具有柔性，硅材料无法应用于柔性电子领域。

　　创新探索

　　维也纳技术大学光子研究所的 Thomas Mueller 博士一直致力于二维材料的研究，他认为二维材料是未来制造微处理器和其它集成电路的理想候选材料。而二硫化钼（MoS2），由钼原子和硫原子组成，只有三个原子的厚度，就是这样一种二维材料。

　　所以，他领导维也纳技术大学的科研团队和欧盟石墨烯旗舰项目的科研人员合作，制造出了一种由二维材料「二硫化钼」MoS2 组成的晶体管。115个这样的晶体管构成了一种新型微处理器。目前，这种微处理器能够进行一比特的逻辑运算，而未来有望拓展至多比特运算。

　　关键技术

　　微处理器架构

　　图解：

　　（a） 框图显示：A和B两个输入的算术逻辑单元（ALU），累加器（AC），控制单元（CU），指令寄存器（IR），输出寄存器（OR）和程序计数器（PC）。由CU提供给各个子单元的使能信号（EA和EO）和操作选择代码（A/O）。时钟信号发生器和存储器于芯片外实现。

　　（b） N次指令循环的时序图。在获取指令的序列中，内存的内容加载到 IR，并且存储在PC中的地址加增加。在指令执行的序列中，存储在IR中的命令得以执行。

　　（c） 微处理器的指令集：NOP是非操作指令；LDA指令将数据从内存传输到AC；AND和OR指令执行逻辑运算。

　　MoS2晶体管和反相器的特性描述

　　图解：

　　（a）使用前栅极技术的反相电路（顶部）和单个MoS2晶体管（底部）示意图

　　（b）载入（W/L=45/2）和下拉 （W/L=7/5）晶体管的转换特性

　　（c）栅压在1V和5 V之间的输出特性

　　（d）NMOS反相器电路原理图

　　（e）在给定输入电压VIN的条件下，反相器的输出电压VOUT图解。蓝色符号代表负载曲线，红色线是下拉晶体管的输出特性。两条曲线的交叉点决定了VOUT。

　　（f）实线代表反相器测量到的电压转移特性。通过镜像曲线（虚线），得到一种蝴蝶般的图像，从中NM可以通过嵌入灰色阴影区域的最大正方形提取出。

　　二维半导体设备的实现

　　图解：

　　（a）微处理器的微观图像。两层金属以不同的颜色呈现，通过通路孔连接。所有的子单元都具有用于测试的金属测试焊盘。标记的焊盘用于连接设备和外部器件（存储器、时钟发生器、电源、输出），其它部分由线结合到一起实现内部连接。比例尺50微米。（b） D-Latch 和 （c） ALU 电路原理图

　　器件操作

　　图解：

（a） 通过运行示例程序，在芯片上测量到的波形。CLK1， CLK2、CKL3信号由芯片外部产生。每个指令需要三个时钟周期，1/TCLK是时钟频率。CLK2脉冲足够短以触发灵敏的PC输入，可以避免使用更加复杂的主从设计。A0是PC提供的地址。OP0， OP1 和 D0 表示来自