非隔离式升压拓扑的LED驱动器电路

CSM可被放置在升压转换器的输入或输出上。在这个模拟中，CSM被放置在输出上，它通过与输出PMOS导通元件 （T5） 相并联的10 mΩ分流电阻器来感测电流。根据CSM的放置位置，此电路可以防止内部和/或外部短路情况。然而，CSM必须被设计成在所有工作条件下均具有足够共模范围 （CMR）。

　　如果放置在升压转换器的输入上，可选择具有较低CMR的CSM。然而，将CSM放置在输出上可以避开升压电感器，并且有助于加快对短路情况的反应时间。无论将CSM放置在何处，都应该使用一个RC滤波器来衰减那些会由于分流电阻器的突然di/dt事件而出现的噪声和谐振振铃。一个小型100 电阻器和差分电容器可被置入比估计的分流器Lp/R时间常量大3倍的时间常量，其中Lp是寄生并联电感。由于CSM的增益误差和带宽受到噪声滤波器的负面影响，保持滤波器的低值很重要。

　　模拟结果

　　图5展示了模拟结果。Vg是到PMOS FET的控制电压，并在正常情况下被设定为-6V。需要根据FET的阀值电压、栅极电荷、和饱和特性进行优化。最大限度地减小栅极上的电压可以改进反应时间，并且应该选择上拉电阻器来尽可能地缩短中断周期。需要注意的是，输入电流和栅极电压用高栅极电荷（紫色），和低栅极电荷（蓝色）MOSFET显示。

　　图5. 标准有线和无线网络将在物理楼宇系统和楼宇管理设备之间承载传递相对简单的命令和数据

　　很明显，较低栅极电荷器件最大限度地减少了输入上的可见电流。选择MOSFET和栅极驱动电路来实现最优响应是十分重要的设计考虑，这是因为这种设计限制了di/dt，并且满足了MOSFET安全运行要求。这些复杂的设计考虑在分析起来可不那么容易；因此，最好在在工作台上对它们进行模拟和确认。

　　在某些诸如Tektronix产品的某些示波器上提供专门的测试软件来计算相对于MOSFET安全运行曲线的开关功率损耗。本次模拟建议响应持续时间少于2μs，这在电流被中断前可获得少于6A的输入电流。中断FET的选择将影响峰值输入和输出电流。驱动高端NMOS器件的高性能、可热插拔控制器是另外一个选择，并且能够实现少于250ns的中断时间。这些器件针对背板热插拔卡插入进行了优化，但是可以提供一个性能比这里展示的解决方案更高的解决方案。

　　避免的故障

　　此电路展示并模仿了中断情景，也在多变的负载条件下限制升压转换器LED驱动器的输入/输出电流。该电路经过优化可以适合于汽车LED前灯驱动器应用。我们证明了实现最优电路响应时间需要仔细的分析和组件选择。将这些灵敏性集成到一个综合性时域电路模拟中有助于理解不同工作条件和组件选择情况下的电路运行状态。

　　提供的专业化可热插拔控制器具有专门的特性和优化的性能，在设计时应该将它们考虑在内。在任何一种情况下，当执行一个电路来中断或限制电源时有必要进行仔细分析。为LED驱动器设计一个稳健耐用的保护电路是一项复杂的工作，而诸如TINA-TI，SPICE和WEBENCH等软件工具能够在加快分析和设计方面提供帮助。