功率因数校正最佳策略：如何选取合适的MOSFET？

耗有可能在总损耗中占相当大的比例。高压MOSFET （HVM）的Coss随着所施加的VDS的不同而有相当大的变化。为说明输出电容器的非线性，可以使用Poss = ½ Coer x V2 x Fsw作为损耗计算公式。Coer是由产品说明书提供的有效电容，与MOSFET的集成Coss具有相同的存储能量和相同的损耗。所以，新FOM现在为Rds（on）（典型值） * （Qswitch （典型值） + Qoss），其中Qswitch是Qgd和Qgs的组合。

　　例如，我们使用一个最大封装功率损耗为8 W且对传导损耗和开关损耗的贡献各为4 W的TO-220 / TO-220F器件。这样Coss/Qoss损耗将占到总封装损耗的约20%，或总开关损耗的约40%，这是标准FOM公式没有加以考虑的一个较大损耗。

　　由于有许多可用封装选项，所以表1列出了针对不同封装的最大功率额定值。请注意，每种封装都有一系列器件可供选用，所以有可能对广泛的输出功率推荐相同的封装。为了实现SMT封装（如PowerPAK®SO-8L （5x6） 和PowerPAK®8x8）的最大可能功率耗散，有必要将PCB温度保持在最坏条件下的应用要求值。建议最大额定值因此受到系统热考虑事项而非封装损耗的限制。

　
表1：各封装类型下的最大功率级
 

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