什么是同步整流器？开关MOSFET较同步整流器在功率电源中的耗散如何？

个函数的和：在VIN（MIN）（较高的负载系数）处达到最大的电阻耗散，和在VIN（MAX）（由于VIN2的影响）处达到最大的开关耗散。最理想的选择略等于在VIN极值的耗散，它平衡了VIN范围内的电阻耗散和开关耗散。

　　如果在VIN（MIN）处的耗散明显较高，电阻损耗为主。在这种情况下，可以考虑采用较大的开关MOSFET，或并联多个以达到较低的RDS（ON）值。但如果在VIN（MAX）处的耗散明显较高，则可以考虑减小开关MOSFET的尺寸（如果采用多个器件，或者可以去掉MOSFET）以使其可以更快地开关。

　　如果所述电阻和开关损耗平衡但还是太高，有几个处理方式：

　　改变题目设定。例如，重新设定输入电压范围;改变开关频率，可以降低开关损耗，且可能使更大、更低的RDS（ON）值的开关MOSFET成为可能;增大栅极驱动电流，降低开关损耗。MOSFET自身最终限制了栅极驱动电流的内部栅极电阻，实际上局限了这一方案;采用可以更快同时开关并具有更低RDS（ON）值和更低的栅极电阻的改进的MOSFET技术。

　　由于元器件选择数量范围所限，超出某一特定点对MOSFET尺寸进行精确调整也许不太可能，其底线在于MOSFET在最坏情况下的功率必须得以耗散。

　　本文主要为大家介绍了在大功率电源当中MOS器件耗散的两种方式。通过对这两种方式的讲解，详细大家都能够对其中的一些关键点理解透彻。