FPGA主要供应商与产品(3)

接功能的DSP 和存储器密集型应用进行了优化。Virtex-5 FXT 则用于实现具有速率最高的串行连接功能的嵌入式处理，Virtex-5 TXT可用于实现超高带宽应用，如有线通信与数据通信系统内的桥接、开关和集聚。

现有的Virtex-5系列产品的主要技术特征如下表所示。

表3-14 Virtex-5系列 FPGA主要技术特征

其主要特点如下：

采用了最新的65工艺，结合低功耗IP块将动态功耗降低了35%；此外，还利用65nm三栅极氧化层技术保持低静态功耗； 利用65nm ExpressFabric技术，实现了真正的6输入LUT，并将性能提高了2个速度级别。内置有用于构建更大型阵列的FIFO逻辑和ECC的增强型36 Kbit Block RAM带有低功耗电路，可以关闭未使用的存储器。 逻辑单元多达330,000个，可以实现无与伦比的高性能； I/O引脚多达1,200个，可以实现高带宽存储器/网络接口，1.25 Gbps LVDS； 低功耗收发器多达24个，可以实现100 Mbps - 3.75 Gbps高速串行接口； 核电压为1V，550 MHz系统时钟； 550 MHz DSP48E slice内置有25 x 18 MAC，提供352 GMACS的性能，能够在将资源使用率降低50%的情况下，实现单精度浮点运算； 利用内置式PCIe端点和以太网MAC模块提高面积效率 ； 更加灵活的时钟管理管道(Clock Management TIle)结合了用于进行精确时钟相位控制与抖动滤除的新型PLL和用于各种时钟综合的数字时钟管理器(DCM)； 采用了第二代sparse chevron封装，改善了信号完整性，并降低了系统成本； 增强了器件配置，支持商用flash存储器，从而降低了成本。

注：一个Virtex-5 Slice具有4个LUT和4个触发器，而一个前文所提及的常规Slice只包含2个LUT个2个触发器。每个DSP48E包含一个25*18位的硬核乘法器、一个加法器和一个累加器。

Virtex-5 FPGA 订购信息适用于所有封装，包括无铅封装

(6)Virtex-6 FPGA系列

基于采用第三代Xilinx ASMBL? 架构的40nm制造工艺，Virtex-6 FPGA系列还拥有新一代开发工具和早已针对Virtex-5 FPGA而开发的广泛IP库支持。这些都为多产的开发和设计移植提供了强大的支持。 与竞争厂商提供的40nm FPGA产品相比，新的Virtex-6 FPGA系列器件性能提高15%，功耗降低15%。新器件在1.0v内核电压上操作，同时还有可选的0.9v低功耗版本。 这些使得系统设计师可在设计中采用Virtex-6 FPGA，从而支持建设"绿色"中心办公室和数据中心。对于电信行业这一点特别重要，因为该行业正在扩展对因特网视频和富媒体内容的支持。

Virtex- 6 FPGA系列包括三个面向应用领域而优化的FPGA平台，分别提供了不同的特性和功能组合来更好地满足不同客户应用的需求：

Virtex-6 LXT FPGA—优化目标应用需要高性能逻辑、DSP以及基于低功耗GTX 6.5Gbps串行收发器的串行连接能力。
Virtex-6 SXT FPGA—优化目标应用需要超高性能DSP以及基于低功耗GTX 6.5Gbps串行收发器的串行连接能力。
Virtex-6 HXT FPGA—作为优化的通信应用需要最高的串行连接能力，多达64个GTH串行收发器可提供高达11.2Gbps带宽 。
Virtex-6 FPGA把先进的硬件芯片技术、创新的电路设计技术以及架构上的增强完美结合在一起，与前一代Virtex器件以及竞争FPGA产品相比，功耗大大降低，性能更高并且成本更低。表3-15显示了Virtex-6FPGA系列主要技术特征。

表3-15 Virtex-6 FPGA系列主要技术特征

(7)Xilinx PROM芯片介绍

赛灵思公司的Platform Flash PROM能为所有型号的Xilinx FPGA提供非易失性存储。全系列PROM的容量范围为1Mbit到32Mbit，兼容任何一款Xilinx FPGA芯片，具备完整的工业温度特性(-40°C 到 +85°C)，支持IEEE1149.1所定义的JTAG边界扫描协议。

PROM芯片可以分成3.3V核电压的 系列和1.8V核电压的 系列两大类，前者主要面向底端引用，串行传输数据，且容量较小，不具备数据压缩的功能；后者主要面向高端的FPGA芯片，支持并行配置、设计修订(Designing Revisioning)和数据压缩(Compression)等高级功能，以容量大、速度快著称，其详细参数如下表所示。

表3-16 赛灵思公司PROM芯片总结 (截至2008年11月数据)

该系列包含XCF01S、XCF02S和XCF04S(容量分别为：1Mb、2Mb和4Mb)，其共同特征有3.3V核电压，串行配置接口以及SOIC封装的VO20封装。 内部控制信号、数据信号、时钟信号和JTAG信号的整体结构如图3-2所示。

图3-2 XCF01S/XCF02S/XCF04S PROM结构组成框图

系列有XCP08P、XCF16P和XCF32P(容量分别为：8Mb、16Mb和32Mb)，其共同特征有1.8V核电压、串行或并行配置接