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为避免资源过度分散而造成浪费或非必要竞争，我国应在存储器领域重点上培育1-2个龙头企业，既重视技术研发，也重视资本运作。在国家政策的引导下，企业强强联合，走以资本为纽带的虚拟IDM道路，上中下游龙头公司紧密合作，共同发展。目前，国内已形成三方重点力量发展存储器，力争在数年或十数年内，实现存储器的国产替代，并占据一部分海外市常

　　1）紫光集团收购武汉新芯，设立长江存储

　　2015年11月，紫光国芯（原同方国芯）发布A股有史以来最大定增额度预案，将在存储器领域投入932亿资金（其中募集资金600亿）建设存储芯片工厂，主要用于生产闪存芯片。2016年2月，紫光国芯发布公告，将以37.9亿人民币的价格认购力成科技25%的股份，并以23.4亿人民币认购南茂科技25%的股份。力成和南茂都是半导体存储器领域的主要封测厂，紫光布局存储器的意图非常明确。

　　图22，武汉新芯的存储器芯片发展规划

　　2016年3月，大基金与湖北省集成电路产业投资基金股份有限公司、国开发展基金有限公司、湖北省科技投资集团有限公司签署协议，投资240亿美元助推武汉新芯重点开发3D NAND存储器。

　　2）福建晋华携手台湾联电，两岸共谋DRAM大计

　　2016年5月，福建晋华集成电路有限公司宣布与联电合作，此次合作将结合台湾的半导体制造能力，及中国大陆的市场与资金，由联电在台湾进行32纳米制程技术研发，由晋华提供DRAM特用设备，并依开发进度支付技术报酬金为开发费用，成果将由双方共同拥有。双方合作开发的技术，主要应用在利基型DRAM生产。

　　7月16日，福建省晋华存储器集成电路生产线在泉州市晋江举行开工奠基。该项目一期投资达370亿元，预计2018年9月形成月产6万片12英寸内存晶圆的生产规模，预计年销售额12亿美元，主要用于生产利基型DRAM，而项目的二期工程将在五年内扩产至月产12万片的规模。

　　此次合作选择先以利基型DRAM作为突破口，原因主要有两个，一是因为其技术开发相对容易，二是因为此类DRAM企业特殊应用的小众市场，通常三星，海力士将重点放在标准型DRAM上，对于利基型DRAM并没有固定的生产线，而是根据市场需求来做调整安排，若晋华联电能专心做好利基型DRAM，专为这一部分市场服务，无疑将更容易赢得客户的信赖，有利于打开整个DRAM市场。

　　3）合肥政府多方布局，意图发展DRAM

　　合肥政府一直非常重视半导体行业的发展，早在2013年10月，合肥市政府就出台了《合肥市集成电路产业发展规划（2013～2020年）》，规划中提到，合肥将重点发展芯片设计业和特色晶圆制造，并计划到2020年，要建设3~5条特色8英寸或12英寸晶圆生产线，实现综合产能超10万~15万片/月。

　　2015年4月，合肥面板龙头京东方传出要切入DRAM领域，并于10月宣布要与兆基科技合作研发DRAM技术，后者是一家DRAM设计公司，由曾经的DRAM市场龙头企业尔必达（2012年被美光收购）部分团队成员成立。

　　2016年2月，据日本NHK报道，合肥政府传出将与兆基科技合作，由合肥政府初期将投入 8000 亿日圆（约460亿人民币），兆基科技则负责工厂设备引进和生产计划制定，目前厂房已经在建设中，第一步是设计物联网科技所需的低耗电DRAM芯片。力争2018年投入生产，预计投产后月产可达10万片。