为反向极性保护设计一个电路

间隔出现一个0.6V的压降。在将一个 2.2µF电容器用作电荷泵电容器时，MOSFET每隔2.6s一次性关闭大约50ms。图3显示的是LM74610-Q1的方框图。

　　图3：LM74610-Q1方框图

　　二极管的一个固有属性就是阻断反向电压，并且不让反向电流流过。智能二极管控制器模拟了这个运行方式，并且在反向电流期间具有极快速的关闭时间（通常为2µs）。按照ISO7637，阻断反向电压是通过汽车应用测试的一项重要特性。ISO7637技术规格要求，在由12电源供电运行时，电子模块对于负电压脉冲的影响要做出动态地响应。

　　对于反向电压的慢速响应会导致输出在脉冲期间变为负值，或者严重放电。如果输出变为负值或者电容器严重放电，那么下游电子元器件就有可能被损坏。为了防止严重放电，可以使用更大的大容量电容器，不过这需要更多的电路板空间，成本也会更高。实验室测试也已经证明，智能二极管控制器要比一个p通道 MOSFET的结构快很多。图4显示的是对于反向极性的快速操作相应，并且如图5所示，由于使用了一个小型4.7uF输出电容器，它能够满足 ISO7637脉冲1的要求。

　　图4：LM74610-Q1对于反向电压的响应时间。

　　图5：智能二极管控制器解决方案—采用4.7uF输出电容器时的ISO脉冲1。

　　图6：针对智能二极管实现方式的小外形尺寸 （8mm x 12mm）。

　　LM74610-Q1智能二极管控制器和一个n通道MOSFET组合在一起，形成了一个高效的汽车和工业前端反向极性结构，并且能够从低电流扩展至非常高的电流。图6显示的是可以实现的，用于100W解决方案的小外形尺寸 （117mm2），它的尺寸大约为D2PAK二极管尺寸（180mm2）的60%。