LED材料特性检测技术——PL技术

可确保样品不会在量测的过程中改变塬本的特性，配合mapping技术或将讯号接收器改为CCD，可得到样品空间分布的特性，得知制程的均匀性以回馈MOCVD的制程，于量测时不需电极可监控制成过程中每一个步骤的变化，此为PL量测技术导入LED Wafer产线的优势。

　　于LED元件设计及验证方面，以蓝光LED常用的材料氮化铟镓为例，由于在晶格常数与能阶宽度图中，连接氮化镓与氮化铟兩点的抛物曲线便是氮化铟镓，随着氮化铟镓中的铟含量增加，其能阶宽度变小［13，14］，所以可由PL萤光光谱波峰的位置，得知氮化铟镓中的铟含量，可借由调变激发源的雷射强度与量测萤光光谱强度可拟合出LED发光效率的相关系数，进而求出LED的内部发光效率以提供元件设计之验证，量测时不需电极，在制程时任一步骤，皆可调变制程参数，或选用不同制程方式，比较PL萤光光谱以优化出最佳制程条件等优势。

　　结论

　　PL为一快速、非接触性、非破坏性之可量测样品空间分布的量测技术，无论在产品的量产和开发上都有很好应用。

　　（作者：工研院量测中心/叶佳良）