电子元件及电路组装技术介绍（一）

　　电子元器件是电子信息设备的细胞，板级电路组装技术是制造电子设备的基础。不同类型的电子元器件的出现总会导致板级电路组装技术的一场革命。60年代与集成电路兴起同时出现的通孔插装技术(THT)，随着70年代后半期LSI的蓬勃发展，被80年代登场的第一代SMT所代替，以QFP为代表的周边端子型封装已成为当今主流封装;进入90年代，随着QFP的狭间距化，板级电路组装技术面临挑战，尽管开发了狭间距组装技术(FPT)，但间距0.4mm以下的板级电路组装仍然有许多工艺面临解决。作为最理想的解决方案90年代前半期美国提出了第二代表面组装技术的IC封装一面阵列型封装(BGA)，其近一步的小型封装是芯片尺寸的封装(CSP)是在廿世纪90年代未成为人们的关注的焦点，比如，组装实用化困难的400针以上的QFP封由组装容易的端子间距为1.0-1.5mm的PBGA和TBGA代替，实现了这类器件的成组再流。特别是在芯片和封装基板的连接上采用了倒装片连接技术，使数千针的PCBA在超级计算机、工作站中得到应用，叫做FCBGA，正在开始实用化。第三代表面组装技术直接芯片板级组装，但是由于受可靠性、成本和KGD等制约，仅在特殊领域应用，IC封装的进一步发展，99年底初露头角的晶片封装(WLP)面阵列凸起型FC到2014年期待成为对应半导体器件多针化和高性能化要求的第三代表面组装封装。

　　IC封装一直落后于IC芯片本身固有的能力。我们希望裸芯片和封装的芯片之间的性能缝隙减小，这就促进了新的设计和新的封装技术的发展。在新的封装设计中，多芯片封装(CSP)包含了一个以上的芯片，相互堆积在彼此的顶部，通过线焊和倒装片设计(在倒装片上线焊，在线焊上倒装片，或在线焊上线焊)实现芯片间的互连，进一步减少了器件重量和所占空间)。

　　由于尺寸和成本优势，晶片级CSP(Wafer-levelcap)将被进一步开发，这种技术是在晶片切割成小方块(芯片)之前，就在芯片上形成第一级互连和封装I/O端子，这不但缩短了制造周期，其I/O端子分为面阵列型和周边型(依据I/O端子的分布)两种类型;前者，EIAJ的端子间距0.8mm以下，外型尺寸为4mm-21mm的超小型封装作为标准，主要适用于逻辑和存贮器件，后者是SON和QFN等带周边端子的无引线小型化封袋，主要适用于存贮器和低档逻辑器件。自从90年代初CSP问世以来，提出了各种各样的结构形式，现在以面阵列型的FBGA是主流，第一代FBGA是塑料类型的面朝下型，第二代FBGA是载带类型的面朝下型，都采用了引线框架塑模块、封装，而新一代的FBGA是以晶体作载体进行传送，切割(划线)的最终组装工艺，即WLP方式，取代了以前封装采用的连接技术(线焊、TAB和倒装片焊)，而是在划线分割前，采用半导体前工序的布线技术，使芯片衬垫与外部端子相连接，其后的焊料球连接和电气测试等都在晶片状态下完成，最后才迫行划线分割。显然用WLP方式制作的是实际芯片尺寸的FBGA，外形上与FC无区别。

　　总之，PBGA、TBGA、FBGA、(CSP)和FC是当今IC封装的发展潮流。表1和表2分别示出了这些封装的发展动向。在21世纪的前15年，第三代表面组装封装将会迅速发展，围绕高密度组装，封装结构的多样化将是21世纪初IC封装最显著的特点。LSI芯片的叠层封装、环形封装：还有，将出现新的3D封装，光一电子学互连，光表面组装技术也会蓬勃发展。系统级芯片(SOC)和MCM的系统级封装(MCM/SIP)随着设计工具的改善，布线密度的提高，新基板材料的采用，以及经济的KGD供给的普及，将进一步得到开发和进入实用阶段。

　　无源封装

　　随着工业和消费类电子产品市场对电子设备小型化、高性能、高可靠性、安全性和电磁兼容性的需求，对电子电路性能不断提出新的要求，从20世纪90年代以来，冶式元件进一步向小型化、多层化、大容量化、耐高压和高性能方向发展，同时随着SMT在所有电子设备中的推广应用，世界范围片式元件的使用量迅速增加，现在年消耗片式元件达到1兆只，无源元件对IC的比率一般大于20.由于需要如此大量的分立元件，所以分立元件支配最终PCB组件的尺寸;另外，片式无源元件用量的剧增使贴装工艺中的瓶颈经片式元件的贴装更难解决，导致生产线失去平衡，设备利用率下降，成本提高，同时片式元件供给时间占用生产线时间的30%，严重影响生产量的提高。解决这些问题的有效办法就是。实现无源元件的集成。

　　集成无源元件有以下几种封装形式：

　　阵列：将许多一种类型的无源元件集成在一起，以面阵列端子形式封装;

　　网络：将许多混合电阻和电容集成在一起，以周边端子形式封装;

　　混合：将一些无源元件和有源器件混合集成进行封装;

嵌入：将无源元