串行和并行接口SRAM对比，谁会是未来主流？

缓存的角色、并能使用最小数量的引脚相连的外置SRAM。串行SRAM就是专为满足这个要求而量身定做的。存储器在高速性能并非最重要因素的其它存储器（DRAM、闪存等）中，串行接口已经取代了并行接口。由于存在需要SRAM的应用，串行SRAM在 SRAM市场中一直处于小众地位。在空间非常有限的特定应用中，它们一直是低功耗、小尺寸替代方案。目前，在峰值时钟速率为20MHz（10MB/s带宽）条件下，串行SRAM最大容量为1Mbit。相比之下，并行SRAM的带宽高达250MB/s，并支持最大64Mbit的容量。下表对比了一个通用型 256Kbit并行SRAM和一个256Kbit串行SRAM。

　　由于所需驱动的引脚数较少，而且速度更低，串行接口存储器通常比并行接口存储器消耗更少的电能，而且其最大的好处在于较小的尺寸－无论是从设备尺寸还是从引脚数的角度而言。最小的并行 SRAM封装是24球BGA，而串行SRAM提供8引脚SOIC封装。但必需注意的是，WL-CSP是最小封装，很多并行和串行存储器厂商支持CSP封装。市场上的并行SRAM胜过串行SRAM的地方是性能－尤其是在存取时间上。凭借宽得多的总线，并行SRAM能够最大支持200MBps的吞吐量，而大多数得到广泛使用的串行SRAM最多只支持40MBps。

　　如上表所示，存储器存储器串行接口存储器在性能方面落后并行接口存储器。由于数据流是顺序的，它们不能提供相同的吞吐量。因此，串行存储器存储器最适合那些注重尺寸和功耗胜过存取时间的便携式设备，如手持设备和可穿戴设备。

　　未来将会怎样

　　在物联网和可穿戴设备兴盛之前，串行 SRAM 的利润还不足以吸引主流SRAM厂商的注意力。实际上，主要的串行SRAM厂商就是Microchip和On-semi。对于这两家公司而言，SRAM并非它们的核心业务，在营收中的占比也很小。另一方面，静态RAM领域的市场领袖（如赛普拉斯、ISSI和Renesas）一直以来只专注于并行SRAM。

　　这种情况可能会发生改变。随着串行SRAM的商机不断增多，我们很快就会看到传统的SRAM厂商将进军串行SRAM领域。未来几年，串行SRAM的产品路线图注定会出现（因为这些公司拥有积极推动SRAM技术不断进步的悠久历史）。容量和带宽将是两大推动力。静态RAM领域的市场领袖赛普拉斯已经将串行 SRAM纳入到其异步SRAM产品路线图中。事实上，赛普拉斯和Spansion的合并意味着，赛普拉斯已经掌握了最新的Hyperbus技术（由 Spansion首创），该技术能够通过一个串行接口提供高达400MBps的吞吐量，因此，在这方面完胜DRAM。随着主流SRAM厂商进入该市场，开发人员不久将会获得最先进的串行SRAM。

　　大吞吐量、小巧的串行接口SRAM给我们带来了无限的可能性。它最终有可能成为众多电路板上当代嵌入式SRAM和并行SRAM的全财产继承者。