耐用型650V沟道IGBT在逆变器中的应用
时间：06-16
来源：电子发烧友网
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图4 功率损耗估计
图5 混合频率全桥逆变器效率
结论
上文已介绍新的650V场截止沟道IGBT并评估了其性能。新的IGBT比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。经过所有这些改进，新场截止沟道IGBT可实现高效和可靠的逆变器系统。
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