搭配电感拓扑,利用小讯号MOSFET降低电源转换功耗
现代的电子装置设计须提供多个不同的直流(DC)电压,导致内部电路须透过升压与降压方式转换电压,为装置中负责不同功能单元供电;其中,在高效率DC-DC电源转换设计方面,以电感为基础的转换拓扑,以及应用于各种开关的金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)已变得相当重要。
电感拓扑改善DC-DC转换效率
以新一代小讯号MOSFET为例,具有低汲极(Drain)/源极(Source)导通电阻(RDSon)和良好的开关性能,并采用小型扁平封装,开启中功率开关模式DC-DC转换的应用新领域。儘管高效率电源亦可采用整合型方案,但系统厂考量设计灵活性和成本,仍广泛使用外部功率开关。
由于电荷帮浦等应用常受到低电流的限制,对高输出功率和高效率电压转换器而言,最佳解决方案是采用电感拓扑,只须稍加改动便可实现升压、降压或升降压转换器。图1是一个简单的DC-DC降压转换器电路图,相较于线性稳压器,该电路在理想元件应用中具有100%的转换效能;不过,导通电阻不等于0欧姆(Ω),且电晶体开关将产生损耗与花费时间,电感因具有来自绕组导线的欧姆电阻,其磁芯也会增加损耗。
图1 DC-DC降压转换器架构图
磁芯损耗係来自磁场变化引起小磁域运动而造成的,核心材料的迟滞愈厉害,损耗相对提高;另涡流也会导致电感磁芯损耗,因磁场变化将形成电流环路,使铁磁性材料变热。对高频开关来说,线路上的电流不再占据整个线路截面,反而偏向于贴近线路表面,这就是着名的集肤效应(Skin Effect),将增大电阻损耗。
此外,输出电容具有剩余电阻,也会导致电能损耗和温度上升,因二极体(Diode)最终会产生正向电压损耗和反向电流损耗。在现实条件下,这些机制与实际情况会使DC-DC转换器效率降至75?98%之间。
模拟与实作高效率DC-DC降压设计
以图1的DC-DC降压设计为例,Q1为P通道MOSFET,做为高端开关用途,当MOSFET开启时,L1电感上的电流线性增大:ΔIL=(ton/L1)×(VIN×VOUT)。假设VOUT恆定,开关打开时,电流持续流经二极体D1,当正向电压VF对地时,D1阴极为负,电流以线性方式下降,C2缓衝输出电压值愈大,涟波愈小。
图2则表示SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)模拟,高端开关整合P通道MOSFET,电源V1对其供电,电感值则选定为68μH,输出电压采用10μF电容进行滤波;萧特基二极体(Schottky Diode)D1做为续流二极体。此外,N通道驱动器MOSFET Q2则透过3.3伏特(V)高位準(V2)方波发生器,从而实现开关动作。本例中,开关频率为100kHz,并在输出端连接一个10欧姆的负载电阻。
图2 DC-DC降压转换器SPICE模拟图
图3係模拟结果,当Q1开启时,流经电感的电流IL1表现出线性增大,开关节点电压VSW几乎等于输入电压;当Q1关闭时,流经电感的电流下降,开关号转为300毫伏特负电压,即萧特基二极体的正向电压,输出电流为叁角波形的平均值,约为330毫安培(mA),输出电压VOUT在大约3.25伏特处保持稳定。
图3 DC-DC降压转换器电流、开关节点及输出电压模拟数据
该例中,电流在整个开关週期内流经电感,这种模式称为DC-DC转换器的持续模式,输出电压计算公式如公式1、2;电感电压计算方法如公式3:
VL=L×(dIL/dt)。。。。。。(1)
VL=L×(ΔIL/Δt)。。。。。。(2)
ΔIL=VL/L×Δt.。。。。。(3)
电感储存的电量则以公式4表示:
E=L/2×I2.。。。。。(4)
对于开关关闭时的静态模式而言,电感增加的电量须等于开关打开时损耗的电量,忽略开关和二极体正向电压的RDSon损耗,即可得出计算ΔIL的公式5:
ΔIL=VIN–VOUT)×ton=VOUT×toff
VOUT/VIN=ton/(ton+toff)= ton/T.。。。。。(5)
其中,T为週期时间,工作週期为D=ton/T、VOUT=VIN×D;本例中,VOUT= 4.5V×(7.2/10)=3.24V。极端情况下,若工作週期为1,则开关始终关闭且输出电压等于输入电压;工作週期小于1,则输出电压的下降多少取决于工作週期係数D。
此时,电流涟波如公式6所示:
ΔIL=(VIN–VOUT)/L×ton.。。。。。(6)
本例的数值为ΔIL=(4.5V–3.24V)/ 68μH×7.2μs=133mA。
电感拓扑可轻易变换升/降压设计
事实上,以电感为基础的DC-DC降压转换器,只须稍为更改拓扑结构,降压转换器亦可成为升压转换器。如图4为一个简单的DC-DC升压转换器拓扑,若低
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