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DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM

时间:10-24 来源:MAXIM 点击:

  DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态NV SRAM,按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

  关键特性

  在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年

  掉电期间数据被自动保护

  没有写次数限制

  低功耗CMOS操作

  100ns的读写存取时间

  第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态

  可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND

  JEDEC标准的32引脚DIP封装

  通过美国保险商实验室协会(UL)认证

 

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