DS1225Y 64K非易失SRAM

　　DS1225Y 64K非易失SRAM为65,536位、全静态非易失RAM，按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。NV SRAM可以直接替代现有的8k x 8 SRAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DS1225Y还与2764 EPROM及2864 EEPROM的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

　　关键特性

　　在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年

　　掉电期间数据被自动保护

　　直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM

　　没有写次数限制

　　低功耗CMOS操作

　　JEDEC标准的28引脚DIP封装

　　150ns的读写时间

　　±10%工作范围

　　可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND