DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM
时间:10-10
来源:MAXIM
点击:
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM为16,777,216位、全静态NV SRAM,按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
在没有外部电源的情况下最少可以保存数据5年
掉电期间数据被自动保护
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
100ns的读写存取时间
第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态
可选的-40°C至+85°C工业级(IND)温度范围
通过美国保险商实验室协会(UL)认证
- 非易失性SRAM DS1747(08-28)
- DS1220Y 16k非易失SRAM(09-20)
- DS1647为512k x 8非易失性静态RAM(09-22)
- DS1225Y 64K非易失SRAM(10-03)
- DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟(09-22)
- DS1330W 256k全静态非易失SRAM(09-22)