RF MEMS和RF SOI技术是什么？谁才是未来射频技术的霸主？

无论如何，5G需要一个新的组件。"（45nm RF SOI）主要集中在5G毫米波前端，它集成了PA、LNA、开关、移相器，为5G系统创建了一个集成的毫米波可控波束形成器。"GlobalFoundries的Rabbeni说。

　　5G还有其它的解决方案，RF MEMS就是其中一种可能。此外，TowerJazz和加利福尼亚大学圣地亚哥分校最近展示了一个12Gbps的5G相控阵芯片组。该芯片组采用了TowerJazz的SiGe BiCMOS技术。

　　哪种工艺将胜出？只有时间会告诉我们答案。"目前尚不清楚RF MEMS是否在5G应用上具有优势。"Strategy Analytics的Taylor说。

　　什么是RF MEMS？

　　基于RF SOI的射频开关将继续占据主导地位，但新技术RF MEMS也可能存在一定的生存空间。"随着时间的推移，SOI已经取得了不可思议的进步。电阻下降了，线性度也变得更好了。"Cavendish Kinetics的Dal Santo说。"但是SOI开关的本质是一个晶体管导通或关闭。导通时，表现不是很好，关闭时，也不是很好。

　　多年来，RF MEMS技术一直在稳步前进。今天，Cavendish、Menlo Micro和WiSpry（AAC Technologies）正在为移动应用开发RF MEMS。

　　RF MEMS与陀螺仪和加速度计等基于传感器的MEMS不同。传感器MEMS是将机械能转化为电信号。相比之下，RF MEMS只进行信号的传导。

　　最初，Cavendish等公司将RF MEMS技术应用到使用RF SOI和其它工艺的天线调谐器市场。

　　"如果天线是固定的，我们不可能使它支持所需的不同频段。所以天线需要调整，"Dal Santo说。"现在，主要的方法是采取切换，要么切换不同的固定电容器，要么切换不同的固定电感器。问题在于天线是高Q设备。你必须小心，否则会带来辐射性能的损失。"

　　相比之下，Cavendish的调谐器有32个不同的电容范围。"它们是完全可编程的，具有非常好的高Q性能。所以辐射性能损失非常低。您可以使用这些，把天线调整到您需要支持的频率范围。"他说。

　　展望未来，Cavendish计划在更大的RF开关领域采用RF SOI器件。他说："如果用一个真正的开关代替RF SOI，那就是MEMS开关，你的接收机或发射机的插入损耗都会降低。"他说。

　　但是，RF MEMS器件是否会取代基于RF SOI的器件？关于这个问题，TowerJazz可以提供一些见解。TowerJazz提供传统的RF SOI工艺，也是Cavendish的RF MEMS器件的代工厂商。

　　"RF MEMS和RF SOI可能在竞争相同的应用上会有一些小的重叠。一般来说，它们是相互补充关系，RF MEMS用于最苛刻的应用，而RF SOI用于其余的应用，"TowerJazz RF /高性能模拟业务部门高级副总裁兼总经理Marco Racanelli说。

　　"RF SOI技术将继续发展，它对于RF开关应用和部分低噪声放大器市场仍然是可用的，"Racanelli说。"然而，在一些特殊的应用中，用于低噪声放大器的SiGe和用于开关的MEMS等替代技术可以提供更佳的线性度或更低的损耗。总之，RF SOI将继续为不断扩大的市场服务，其他技术也将有所发展。"

　　RF MEMS已经在天线调谐器市场上占有了一席之地，它能否把触角延伸到射频开关业务上还有待时间验证。"未来，相对于内置RF SOI，RF MEMS可以通过提供更线性和更低损耗的开关来帮助提高手机的数据速率。"他说。"在RF MEMS中，金属板可以在"导通"状态下直接接触，形成金属、低损耗、线性的连接。更高的线性度允许更多的频带和更复杂的调制方案，从而增加手机的数据速率。