一文告诉你最全的芯片封装技术

　　获得一颗IC芯片要经过从设计到制造漫长的流程，然而一颗芯片相当小且薄，如果不在外施加保护，会被轻易的刮伤损坏。此外，因为芯片的尺寸微小，如果不用一个较大尺寸的外壳，将不易以人工安置在电路板上。而这个时候封装技术就派上用场了，本文接下来介绍了28种芯片封装技术。
　　1. BGA｜ball grid arraye

　　也称CPAC（globe top pad array carrier）。球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体（PAC）。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFP（四侧引脚扁平封装）小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA不用担心QFP 那样的引脚变形问题。

　　该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，随后在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚（凸点）中心距为1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA 的问题是回流焊后的外观检查。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为MPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC。

　　2.C－（ceramic）

　　C－（ceramic） 表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。

　　3.COB （chip on board）

　　板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。

　　4.DIP（dual in-line package）

　　双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。欧洲半导体厂家多用DIL。DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。

　　有的把宽度为7.52mm和10.16mm 的封装分别称为SK－DIP（skinny dual in-line package） 和SL－DIP（slim dual in-line package）窄体型DIP。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为Cerdip（4.2）。

　　4.1 DIC（dual in-line ceramic package）

　　陶瓷封装的DIP（含玻璃密封）的别称。

　　4.2 Cerdip

　　用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP（数字信号处理器）等电路。带有玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8 到42。在日本，此封装表示为DIP－G（G即玻璃密封的意思）。

　　4.3 SDIP （shrink dual in-line package）

　　收缩型DIP。插装型封装之一，形状与DIP 相同，但引脚中心距（1.778mm）小于DIP（2.54mm）。因而得此称呼。引脚数从14 到90，有陶瓷和塑料两种，又称SH－DIP（shrink dual in-line package）

　　5.flip-chip
 

　　倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
 

　　6.FP（flat package）

　　扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP（见QFP 和SOP）的别称。部分半导体厂家采用此名称。

　　7.H-（with heat sink）

　　表示带散热器的标记。例如，HSOP 表示带散热器的SOP。

　　8.MCM（mulTI-chip module）

　　多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。

　　MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。

　　MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。

　　MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或氮化铝）或Si、Al 作为基板的组件。 布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。

　　9.P－（plasTIc）

　　表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。

　　10.Piggy back