下一代Flash存储器在工业控制领域技术与应用

半。可应用在像是IPC/Kiosk /POS系统、嵌入式系统、伺服器主机板以及薄型终端机等。

　　他列出一张以相同2xnm制程的MLC与iSLC长期耐用度的测试图表：MLC 在连续写20，000次后，产生错误位元数超过30；iSLC则是仅有6个，即便连续抹写超过100，000次，产生错误位元数不超过10个，耐用度与品质媲美标准SLC制程的SLC存储器。以32G容量SSD测试，每天写满32GB资料10次，MLC只能维持0.8年，旧制程（3xnm） SLC可以达到27.4年，新制程（2xnm） SLC可达16.4年，而2xnm制程的iSLC可达到7.6年。

　　宜鼎国际以iSLC快闪存储器技术设计一系列产品，全为SATAⅡ介面设计：

　　型号2.5" SSD 2IE採8通道设计，容量32GB~256GB，循序读写速度为230、200MB/s；SATADOM-QVL 2IE以及SATADOM-QV 2IE则为4通道设计，容量8 ~ 64GB，循序读写速度为130、120MB/s；CFAST 2IE存储器一样为4通道设计，容量8 ~ 64GB，循序读写速度为130、120MB/s。另外有mSATA 2IE的mSATA模组，Halfslim尺寸的SATA Slim 2IE，以及SATADOM QH 2IE模组，皆为SATAⅡ介面四通道设计，容量8 ~ 64GB，循序读写速度为130、120MB/s

　　嵌入式应用的SATAIII解决方案

　　吴锡熙接着介绍针对嵌入式工控应用的SATAIII产品解决方案。由宜鼎研发的Innodisk ID167控制芯片，采四通道8CE设计，ECC资料修正能力为40bit/1KB；搭配64Mx16bit的DDRⅢ存储器做为读写缓冲区，同时在SATAⅢ的Slumber、DEVSEL模式下仅有33 mW、5mW的功耗。採ID167设计的SSD与mSATA模组，将于2013年第一季开始送样。

　　Innodisk ID167搭配选用24/25nm制程的同步型（Sync）MLC Flash存储器颗粒，以IO Meter做效能实测，64GB（4CH）版本，其循序读取╱写入效能达480MB/s、270MB/s，持续性读取╱写入IOPS为80K、 1K；128GB（4CH）版本的循序读取╱写入效能 520MB/s、350MB/s，持续性读取╱写入IOPS为80K、2K；256GB（4CH）循序读取╱写入效能 550MB/s、400MB/s，持续性读取╱写入IOPS为80K、3K，表现算是相当出色。

　　跟工控应用为主流的128GB SLC SSD相比，CystalDiskMark v3.0实测结果，256GB MLC SATAIII SSD的循序读取、写入速度为519、344MB/s，而纯SATAⅡ的128GB SLC SSD，循序读取、写入速度为253、190MB/s。在两者成本相近情况下，256GB MLC SATAIII SSD比128GB SLC SATAⅡ SSD容量倍增、效能更快。

　　宜鼎也提供有SSD单芯片模组，由Innodisk ID167控制芯片加上Flash硅晶圆封装做COB封装而成，32GB（4CH x 1CE）版本，其循序读取、写入速度为480、140MB/s。跟SATAII SLC的32GB SATADOM做CystalDiskMark v3.0效能实测，SATA III循序读取、写入速度为482、271MB/s；SATA II循序读取、写入速度为252、235MB/s。