微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 硬件设计 > 硬件工程师文库 > MEMS光开关性能与发展

MEMS光开关性能与发展

时间:10-24 来源:本站整理 点击:

全光信号再生与超快波长转换,是目前很有前途的全光交换技术。一般,各种超快全光开关归根结底都离不开光的非线性效应,这里以SOA-XPM为例加以说明,实验原理如图2所示。

  

  图2 利用SOA-XPM实现光开光的实验装置

  将SOA分别置在M-Z干涉仪的两臂,开关控制脉冲注入一臂,脉冲的变化会引起SOA折射率的改变,从而引起两臂相位差△Ф的改变,即:

  △Ф=-(2π/l)(dn/dN)(τe/[1+(wτe)2]1/2L×Vg×g×△S×cos(wτ-q)

  其中,l——信号波长;dn/dN—折射率随载流子密度的变化量;L—SOA的腔长;τe—载流子寿命;Vg—群速度;g—增益系数;△S—载流子密度变化幅值;q—载流子密度变化和调制信号之间的相位延迟。

  △Ф=0,π时,两臂的输出端产生通断。由于SOA的开关速度能达到皮秒量级,可用于超高速光纤通信系统。除SOA之外, M-Z干涉仪的两条支路若由非线性光波导材料如GaAs/AlGaAs组成,也可达到开关的目的。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top