尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响
时间：10-27
来源：中电网
点击：
3 结语
当相邻单位元胞尺寸不断缩小后，尤其在设计栅极氧化膜较薄的器件时，在传统的TMOS工艺中，源区注入会穿透栅极侧壁影响器件性能。采用突起式结构可以有效地避免刻蚀工艺及源区注入对较短沟道器件的间接影响，消除了器件穿通的风险，保证了器件的稳定性能和可重复性。
- 数字存储示波器加快电源设计的验证与测试(01-05)
- 安森美半导体扩充中等电压功率MOSFET系列(10-13)
- 二极管泄漏电流以及MOSFET的亚阈区电流的测量(09-22)
- 精确测量功率MOSFET的导通电阻(11-16)
- 高幅度任意波形/函数发生器简化汽车、半导体、科学和工业应用中的测量(02-20)
- 短沟道MOSFET散粒噪声测试方法研究(07-23)