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一种改善DDS性能的倍频方法

时间:02-23 来源:EDNCHINA 点击:

题。图3表示了DDS的杂散来源,主要有以下三个方面的因素:

  (1)ξDA(n)是D/A变换器引入的误差,它是由D/A变换器的非理想特性引起的。DAC的非理想特性有:差分、积分的非线性、D/A转换过程中的尖峰电流、转换速率受限等;

  (2)ξT(n)是ROM存贮数据的有限字长引起的误差。由于ROM存储的位数是有限的D,所以幅值量化过程中将产生量化误差ξT(n);

  (3)ξP(n)是相位舍位引起的误差。在DDS中,一般相位累加器的位数L远大于ROM的寻址位数W,因此累加器的输出寻址ROM时,其L-W个低位就必须舍去,这样就不可避免地产生相位误差,称为相位截断误差ξP(n)。该误差是DDS输出杂散的主要原因。

2 扩展DDS频率上限的方法

  根据前面的分析可以知道,DDS的输出频率较低以及杂散电平高,限制了它在宽带、高稳定、高纯频谱雷达信号中的应用。为了降低杂散,不能完全利用DDS相对带宽很宽的优点,只能选择DDS中一段杂散软低的有限带宽,通过倍频扩展其上限频率。这就是为了获宽带信号波形采用DDS加倍频的理由。

  扩展带宽的方法有很多,可以利用倍频器直接倍频,乘法器倍频,利用镜像抑制混频器分取上、下边带,利用DDS正交输出合成,DDS与混频器组合 ,DDS与锁相环组合,以及多路并行DDS的方法。本文采用的是DDS直接倍频的方法,下面详细介绍这种方法。

   图4是DDS直接倍频的原理方框图。来自型号为Stel-1175的DDS输出的0~20MHz较小的信号经前置放大后,通过后面的窄带滤波器,经过耦合电容加到第一级晶体管倍频器,调整晶体管的直流工作点,使其工作在丙类工作状态下,由于晶体管的非线性特性,在其信号输出端产生多次谐波,再通过带通滤波器来有效地提取输入信号的二倍频信号。通过这样的四次二倍频后输出频率为198~220MHz。由于带通滤波器有大的衰减(插损-10dB),输出信号很小,故在最后加了一级晶体管线性放大器,用以获所需幅度的信号。

  与许多倍频方式相比,晶体管倍频具有电路简单、支态范围大、增益高、杂散谐波电平低等优点,故在DDS倍频电路中采用了晶体管倍频的方案。基本原理是利用了晶体管在丙类工作状态下,导致输入信号波形的失真,从而产生它的各次谐波分量,然后通过后级选频回路来提取所需要的谐波分量。在DDS倍频模块的晶体管倍频电路中,选用了2SC3358作为倍频用的晶体管,它是一种低相噪、高可靠、高稳定性的晶体管,具有较大的动态范围。下面将扼要分析晶体管倍频的工作原理。

  二倍频电路中各级电压与电流关系如图5所示。由于晶体管的非线性,在集电极产生基波的各次谐波,让输出回路谐振于二次谐波,因此Vc的频率比基波信号频率高一倍,同时,Vcmin与Vbmax仍在同一点相遇。瞬时集电极电压与瞬时基极电压的表达式可分别写成:

  vc=Vcc-Vcmcos2ωt (3)

  vB=-VBB+Vbmcosωt (4)

  为了比较,图5中同时用虚线画出作为放大器时的bc=Vcc-Vcmcosωt的曲线。可以看出,在有ic流通的时间内,倍频器的集电极瞬时电压上升速度比较快。因此,在同样的Vcmin值的情况下,倍频器的集电极损耗功率Pc比正常工作于基波频率时大得多,亦即集电极效率ηc要低得多。为了避免Pc太大,应减小倍频器的集电极电流通角θc,以减小Pc,提高ηc。

  由于Vcmin相同,因此两者的电压利用系数ξ=Vcmn/Vcc也相。现在从相同的iCmax与rCmin这两个条件出发,来比较倍频器与放大器的输出功率与效率:

  Pon=1/2VcmIcmn=1/2(ξVcc)iCmaxan(θc) (5)

  ηc=(Pon)/(Po)=[(1/2)VcmIcmn]/(VccIco)=(1/2)ξgn(θc) (6)

  式中:gn=(Icmn)/(Ico)=[an(θc)]/[a0(θc)]

  由式(5)可见,n次谐波倍频器的输出功率正比于n次谐波的分解系数an(θc)。由图5可以知道:

  θc=120° a1(θc)=0.536(最大) θc=60° a2(θc)=0.276(最大) (7)

  因此为了倍频器的输出功率最大,在n=2时,θc应取60°左右。这时与θc=120°时的放大器输出功率相比较有:

  (Po2)/(Po1)=[a2(60) °]/[a1(120°)]=0.52≈1/2 (8)

由此可见,在采用最佳通值角的情况下,二次倍频器的输出功率只能约等于它作为放大器时的1/2。与此同时,由式(8)可以求出它的效率也随着倍频次数n的增而下降。

由以上的讨论可以知道,随着倍频次数n的增加,它的输出功率与效率下降。同时,n值越高,最佳的θc值越校为了减小θc,就必须提高倍频器的基极反向偏压-VBB。VBB加大后,基极激励电压Vbm也必须加大。对于晶体管电

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