三星和台积电都在搞7nm，英特尔此时发10nm是不是太迟了

"其中，只有3家在投资开发规模量产型的制程技术，只有2家公司真正有一体化的器件生产能力。"Stacy J. Smith说。

今年以来，三星和台积电都给英特尔带来了巨大压力。

就在9月11日，台积电联合ARM、Xilinx等公司，发布了全球首颗7纳米芯片，并宣布该芯片将于2018年正式量产。此前它的10纳米芯片，已于去年就已经宣布量产；而5纳米芯片则计划于2019年开始风险试产。

三星也在去年就宣布10纳米芯片量产，计划于今年内年风险试产8纳米芯片，明年内实现7纳米芯片的商业化。此外，它在6、5、4纳米的制程也都已有规划。

它们的制程工艺，真的已经赶超英特尔了吗？

9月19日，在"英特尔精尖制造日"现场，英特尔中国全球副总裁兼中国区总裁杨旭对此的回应是：

"老虎不发威，当我们是病猫！"

在英特尔看来，友商们都是在玩数字游戏。

""业界现在有一种趋势，对自己节点的命名制造混淆概念，即使晶体管的密度并没有提升，但仍继续为其采用新一代制程节点命名。"Stacy J. Smith说。

英特尔认为，下面这个已被业界广泛使用的公式，可用于任何制造商的任何芯片晶片，明确、一致地测量晶体管密度，并为芯片设计者和客户提供关键信息，准确比较不同制造商的制程，从而改变制程节点命名的乱象。

英特尔表示，如果从按照这个公式的比较，英特尔的芯片性能远远领先于竞争对手。

比如，在14纳米制程上，英特尔认为自己"领先了3年"。

而在10纳米制造上，英特尔也表示，自己"领先了整整一代"。

比如，英特尔宣称，自己的10纳米工艺采用第三代 FinFET（鳍式场效应晶体管）技术和超微缩技术，拥有全球最密集的晶体管和金属间距，最小栅极间距从70纳米缩小至54纳米，最小金属间距从52纳米缩小至36纳米，逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个。

这个数据，较业界其他的"10纳米"高了差不多1倍。

"相比其他友商的'10纳米',英特尔的10纳米技术领先了整整一代。"英特尔技术与制造事业部制程架构与集成总监Mark Bohr说。

【争夺代工市场，争夺中国市场】

一向不评论友商的英特尔，为何此次突然发威？

一个重要的原因，在于英特尔正在大举杀入芯片代工市场，这意味着它将与三星和台积电产生更激烈的直接对抗。

在2016年，台积电在全球晶圆代工的市占率为50.6%，其后依次是格罗方德9.6%，联电8.1%，三星以7.9%排名第四，但去年以来一直不断扩大产能，并已宣称将全力扩大代工业务规模，"目标市场第二"。

而英特尔生产的芯片，过去主要都是自用，代工业务从2013年才在小范围内启动。

尽管如此，英特尔在这个市场依然雄心勃勃。

"目前，英特尔的代工厂完全有能力支持客户的大规模生产需求，市场也有很多的机会。"英特尔公司技术与制造事业部副总裁、晶圆代工业务联席总经理Zane Ball说。

英特尔瞄准的，是利润更丰厚，自身也更具比较优势的高端晶圆代工市场。

自2010年以来，高端晶圆代工市场复合增长率达14%，2016年市场规模已达到230亿美元，同时市场规模还将不断增长。

其中，中国将成为一个极为关键的主要市场。

受益于国家扶持和市场增长，中国芯片产业正在迎来井喷。据全球芯片设备行业协会SEMI估算，2017年中国在晶圆代工厂领域的整体支出（包括建筑与设备）将由2016年的35亿美元增长至54亿美元，增幅达54%，而在2018年，这一数字将有望达到86亿美元。

Zane Ball表示，58.5%的半导体消费发生于中国，但中国无圆晶厂全球占比为25%，这意味着一个巨大的机会。

而且，从市场上来看，由于英特尔不像台积电只做代工，也不像高通、AMD、华为等只做设计，它既懂设计又有工厂，所以代工业务受到限制，与很多竞争对手难以达成合作。在这方面，来自中国的大量客户却没有这个顾虑。

"我们要进入专业晶圆代工，还要在中国大有所为。"Zane Ball说。

"建造并装备一家顶尖晶圆厂所需要的投资，至少需要100亿美元。过去5年，我们已经投资了500亿美元，在全球都有顶尖的晶圆厂和封装测试厂，这让我们有更高的良率，有足够的产能来应对市场不断变化的需求，而且可以更快，以更低成本调整生产。" Stacy Smith说，这些都将为英特尔的代工业务提供强大的、独特的竞争力。

目前，英特尔的技术与制造集团员工已超过3万人，制造厂房面积则达到400万平方英尺，每秒可以生产100亿晶体管，是全球少数可以做高尖端晶圆代工的厂商。

而在中国，英特尔的员工也超过7000人，自2004年以来的协议投资超过130亿美元。

下一步，英特尔的代