NS推出符合QMLV标准的高精度卫星通信系统放大器
时间:03-03
来源:电子设计技术
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美国国家半导体公司宣布推出全新高精度运算放大器系列的首款双组装放大器。由于这款放大器已取得 QMLV 方面的认证,因此是太空通信系统的理想放大器。LMP2012WGLQMLV 双组装运算放大器最适用于卫星通信设备,例如高度及轨道控制系统、太阳及惯量传感器、回转仪、压力传感器、静态地球感测系统、辐射热测量仪以及地球观察系统。
LMP2012WGLQMLV 芯片是一款轨到轨输出运算放大器,其特点是可以利用多种专利技术测量及不断校正输入偏移错误电压,但又不会像传统放大器一样产生干扰性的中频电压及电流噪声,因此这款高性能放大器可在较长时间及较广阔的温度范围内确保信号高度准 确及稳定。这款芯片已通过辐射测试,证实可承受 50K rad (Si) 的辐射,而且在整个航天温度范围内,共模抑制比 (CMRR) 及电源抑制比 (PSRR) 都高达 90dB。LMP2012WGLQMLV 芯片可以利用2.7V 至 5V 的供电电压操作,而且性能卓越,最适用于换能放大器、高增益配置、模拟/数字转换器缓冲放大器以及采用数字/模拟转换器的电流/电压转换系统。
LMP2012WGLQMLV 芯片适用于摄氏 -55 度至 125 度的温度范围,而且即使在这样广阔的温度范围内,输入偏移电压也低至只有 60mV,压摆率则为 4V/us,而增益带宽更高达 3MHz,因此可将信号准确放大。这款芯片的主要技术特色还有 35nV/sqrt Hz 的输入参考电压噪声,以及超过 100dB 的开环增益。
美国国家半导体的放大器系列
美国国家半导体一直专注于研发高性能的放大器及比较器,目前已成功推出一系列型号齐全的运算放大器,其中包含基本的芯片以及专用标准产品 (ASSP),以满足市场上对高精度、高速、低电压及低功率放大器的需求。该公司多年来一直致力于开发创新的放大器,这方面的技术更一直领先同业,加上该公司也拥有先进的 VIP10 双极及 VIP50 BiCMOS 工艺技术,这几方面的优势令美国国家半导体将可继续在放大器市场上保持其领导地位。此外,美国国家半导体率先推出 Silicon Dust? 及 micro SMD 这两种崭新的封装技术,为封装技术的市场领导者。如欲进一步查询有关美国国家半导体放大器产品的资料,可浏览 amplifiers.national.com/CHS 网页。
价格及供货情况
LMP2012WGLQMLV 芯片采用 10 引脚的陶瓷 SOIC 封装,目前已有大量现货供应。这款芯片符合航天科技部门有关 MIL-STD-38535 QML 第五级 (Level V) 技术的严格规定,并以标准军事绘图系统 (SMD) 5962L0620601VZA 为名称出售。如欲进一步查询有关 LMP2012WGLQMLV 的资料,其中包括售价、订购样品或评估电路板等方面的资料,可向本地的营业办事处或授权分销商洽询。如欲进一步查询技术资料或下载数据表或辐射报告,可浏览 http://www.national.com/pf/LM/LMP2012.html 网页。
美国国家半导体的网上图片资料室备有 LMP2012WGLQMLV 芯片的高清晰度相片以供下载,该图片资料室的网址为 http://www.national.com/company/pressroom/gallery/oa.html。
LMP2012WGLQMLV 芯片是一款轨到轨输出运算放大器,其特点是可以利用多种专利技术测量及不断校正输入偏移错误电压,但又不会像传统放大器一样产生干扰性的中频电压及电流噪声,因此这款高性能放大器可在较长时间及较广阔的温度范围内确保信号高度准 确及稳定。这款芯片已通过辐射测试,证实可承受 50K rad (Si) 的辐射,而且在整个航天温度范围内,共模抑制比 (CMRR) 及电源抑制比 (PSRR) 都高达 90dB。LMP2012WGLQMLV 芯片可以利用2.7V 至 5V 的供电电压操作,而且性能卓越,最适用于换能放大器、高增益配置、模拟/数字转换器缓冲放大器以及采用数字/模拟转换器的电流/电压转换系统。
LMP2012WGLQMLV 芯片适用于摄氏 -55 度至 125 度的温度范围,而且即使在这样广阔的温度范围内,输入偏移电压也低至只有 60mV,压摆率则为 4V/us,而增益带宽更高达 3MHz,因此可将信号准确放大。这款芯片的主要技术特色还有 35nV/sqrt Hz 的输入参考电压噪声,以及超过 100dB 的开环增益。
美国国家半导体的放大器系列
美国国家半导体一直专注于研发高性能的放大器及比较器,目前已成功推出一系列型号齐全的运算放大器,其中包含基本的芯片以及专用标准产品 (ASSP),以满足市场上对高精度、高速、低电压及低功率放大器的需求。该公司多年来一直致力于开发创新的放大器,这方面的技术更一直领先同业,加上该公司也拥有先进的 VIP10 双极及 VIP50 BiCMOS 工艺技术,这几方面的优势令美国国家半导体将可继续在放大器市场上保持其领导地位。此外,美国国家半导体率先推出 Silicon Dust? 及 micro SMD 这两种崭新的封装技术,为封装技术的市场领导者。如欲进一步查询有关美国国家半导体放大器产品的资料,可浏览 amplifiers.national.com/CHS 网页。
价格及供货情况
LMP2012WGLQMLV 芯片采用 10 引脚的陶瓷 SOIC 封装,目前已有大量现货供应。这款芯片符合航天科技部门有关 MIL-STD-38535 QML 第五级 (Level V) 技术的严格规定,并以标准军事绘图系统 (SMD) 5962L0620601VZA 为名称出售。如欲进一步查询有关 LMP2012WGLQMLV 的资料,其中包括售价、订购样品或评估电路板等方面的资料,可向本地的营业办事处或授权分销商洽询。如欲进一步查询技术资料或下载数据表或辐射报告,可浏览 http://www.national.com/pf/LM/LMP2012.html 网页。
美国国家半导体的网上图片资料室备有 LMP2012WGLQMLV 芯片的高清晰度相片以供下载,该图片资料室的网址为 http://www.national.com/company/pressroom/gallery/oa.html。
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