飞兆推出 200V/250V的PowerTrench工艺MOSFET

飞兆半导体公司|0">飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N沟道MOSFET|0">MOSFET，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板 (PDP) 应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的PowerTrench? 工艺技术，这些MOSFET比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值为22.9毫欧；FDB2710的典型值为36.3 毫欧)。超低的RDS(on) 加上极低的栅极电荷 (Qg)，使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(FOM)，因而在PDP系统中能获得更低的传导损耗和出色的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200V 或 250V的击穿电压，可以封装在占位面积更小的D2PAK封装中。PowerTrench MOSFET的另一个优势是能够承受高速电压 (dv/dt) 和电流 (di/dt) 开关瞬态响应，有助于提高系统的可靠性。

　　飞兆半导体功率产品部副总裁Taehoon Kim 表示："飞兆半导体的FDB2614 和 FDB2710 MOSFET具有领先的FOM及采用紧凑的D2PAK封装，非常适合于PDP应用中的路径开关。这些器件经过量身度做，可为纤巧的PDP板设计提供高电流处理能力和节省占位空间的封装。飞兆半导体这项产品的推出再次彰显了其决心和能力，为客户解决最紧迫的应用问题。"

　　FDB2614 和 FDB2710的主要功能和优势包括：

　　最低导通阻抗RDS(on) 及低栅极电荷，具备同级产品最佳的FOM (RDS(on) x Qg)，能够提高系统效率；


　　D2PAK (TO-263) 封装，与具有类似RDS(on)的更大型TO-3P封装平面MOSFET比较，能够节省板卡空间；


　　高dv/dt 和 di/dt处理能力，增强系统可靠性。

　　FDB2614和FDB2710均为无铅器件，能达到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。