功率半导体市场，是否有中国企业一席之地？

器件发展各异，国内外产业规模差距大
国际上，美国科锐（Cree）公司 2003 年率先推出 SiC 产品，但并没有引起市场注意，直到2010 年以后，业界才真正开始关注 SiC功率器件，一些厂家如Cree、Rohm、Infineon、ST、Microsemi陆续推出相关产品。

在国内，SiC 功率器件的研究始于 20 世纪末， 直到 2014 年，国内 SiC 二极管实现了量产化，但并没有形成完整产业链，与国外的产业规模相比有很大差距。目前，国内实现碳化硅（SiC）功率器件量产的公司只有泰科天润半导体等几家，其量产的肖特基二极管 600～1700V系列各项指标均已达到国际先进水平。

市场接受度加速提升，未来保持高增长
2014 年全球 Si 功率器件市场规模约 150亿美元， 其中 SiC 功率器件为 1.2 亿美元，不到 Si 功率器件的 1%。 据 Yole développement 分析，SiC 器件 2014 年总市场规模约为 1.33亿美元，至 2020 年市场规模可达 4.36 亿美元，年复合增长率为 22。据 IHS 机构预测，至 2025 年：碳化硅 MOSFET 市场规模将会超越 3 亿美元，成为仅次于碳化硅肖特基二极体的第二大碳化硅离散功率元件；

SiC FETs 与 BJTs 产品获得市场信赖，但多应用于专业或小众产品，规模远低于 SiC MOSFET 市场；

结合 SiC 二极管与 Si IGBT 所形成的混合式 SiC 功率模组，2015年该产品市场销售额约为3,800 万美元，预计 2025 年销售额将会突破 10 亿美元。

考虑到在售价上能与传统 MOSFET 竞争的 900V SiC MOSFET 产品上市，SiC 功率半导体产品平均售价已于 2015 年开始出现下滑。随着价格降低，市场将会加快接纳 SiC 功率半导体产品的步伐。

4.2 GaN--微波射频/功率器件多领域应用潜力无限
性能优异，GaN 功率器件更能满足高频应用GaN材料具有 3 倍于 Si 材料的禁带宽度、 10 倍于 Si 的临界击穿电场和2.5 倍于 Si 的饱和漂移速度，特别是基于 GaN 的 Al GaN/GaN 结构具有更高的电子迁移率，使得 GaN 器件具有低导通电阻、高工作频率，能满足下一代电子装备对功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣高温工作的要求。

光电/射频领域应用普及，GaN 材料/工艺成本逐年下降GaN 材料原先被用为如蓝色 LED 等 LED类产品的主要原料，但是由于 GaN具有高硬度与高能隙的特性，并且 GaN 功率元件可以在硅基质(silicon substrates)上成长，在面积与整体成本考量上，也具有比碳化硅元件

光电/射频领域应用普及，GaN 材料/工艺成本逐年下降
GaN 材料原先被用为如蓝色 LED 等 LED 类产品的主要原料，但是由于GaN具有高硬度与高能隙的特性，并且 GaN 功率元件可以在硅基质(silicon substrates)上成长，在面积与整体成本考量上，也具有比碳化硅元件更划算的可能性，因此也被运用在高功率半导体元件中。

随着 GaN 材料在光电器件领域的广泛应用，加速了 GaN 材料的发展，特别是大直径硅衬底GaN 外延生长技术的进步以及逐步商业化，使得 GaN具有更低廉的成本价格，有力地促进了GaN 功率半导体器件的发展。预计到 2020 年，Si 基 GaN 元件售价会和 Si 基 MOSFET 以及Si 基 IGBT售价相当。

国际厂商开始发力，角逐 GaN 功率器件市场
基于 GaN 器件的优异性能，众多国际厂商如 Infineon、ST、NXP(已被高通收购)等近年来竞相追逐此领域市场，虽然从目前来看，GaN 器件成本相对于 Si、 SiC 仍然较高，但得益于 GaN材料在其他领域的普及应用，使得成本下降成为必然趋势，GaN 产品未来长期前景看好。

目前基于 GaN 的功率开关器件主要包括 Al GaN/GaN HEMT（HFET）、GaN基 MOSFET 和MIS-HEMT 等结构。其中，Al GaN/GaN HEMT 具有工艺简单、技术成熟、优良的正向导通特性和高的工作频率等优点，成为 GaN 功率开关器件中最受关注的结构。

目前基于 6 英寸硅基 GaN 平台，IR 公司和 EPC 公司分别推出了 30V 和100V/200V 的 GaN 场效应电力电子器件， 600V-900VGaN 器件在近期也将推向市场。以欧洲微电子研究中心为代表的研发机构正开展 8 英寸硅基GaN 电力电子器件研究。