Qorvo GaN-on-SiC晶体管提高战术和公共安全电台的效率和带宽

紧凑型50V晶体管降低电流损耗、简化设计

实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布，推出新的50V GaN-on-SiC 晶体管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011，该晶体管系列可以提高性能、增强功能，并加快任务关键型战术和公共安全电台的开发速度。这些晶体管针对宽带应用进行过输入匹配处理，并且尺寸小巧，可以实现尺寸更小的新一代通信设备。

Qorvo基础设施与国防产品部总裁James Klein表示："应急响应人员必须通过多个通道进行通信，所以拥有可靠的数字、视频、GPS等宽带访问能力成为必要--这一切都发生在极具挑战性的条件下。我们的新型晶体管可在三个不同功率水平下提供更高的电压，这一优势最终会转换成为功能更强、容量更大、可靠性更高的电台。"

Qorvo是50V宽带匹配GaN-on-SiC晶体管的唯一供应商。电压更高的晶体管具有多种关键优势，其中包括更大的输出功率，更小的电流损耗，更高的可靠性；系统设计中要求的此类晶体管数量也更少。另外，宽带匹配可以提高能效，从而为应急设备打造出优化的电路板设计。Qorvo今天推出的最新晶体管专门针对空间受限的任务关键型应用而设计，从地面移动无线电通信，到航空电子、测试仪表，应用非常广泛。

Qorvo 提供多种高功率和高频RF晶体管，包括GaAs pHEMT和GaN HEMT，二者均提供裸片和封装两种形式。