微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 硬件设计 > 行业新闻动态 > 三星高通欲合谋制造骁龙845,比10nm更激进的工艺技术是啥?

三星高通欲合谋制造骁龙845,比10nm更激进的工艺技术是啥?

时间:03-26 来源:太平洋电脑网 点击:

骁龙835首次将移动平台带入10纳米新世代,让移动平台兼有低功耗与高性能计算的特性,而高通、三星并未放缓IC设计和制程迭代的速度。

未来移动平台:骁龙845
据韩媒报道,高通正和三星半导体S.LSI部门开发新一代移动芯片,将用于明年旗舰机Galaxy S9之上,该处理器平台很有可能被命名为骁龙845。

10nm工艺进化到第二代
4月19日,三星半导体宣布其第二代10nm FinFET工艺--10LPP(Low Power Plus)即将投产。随着3D FinFET结构的进一步增强,与相同面积的第一代10LPE(Low Power Early)相比,10LPP工艺最高可以提升10%的性能或降低15%的功耗。

或许,明年更激进
有分析认为,骁龙845很可能使用比10nm更激进的工艺制造,理由是三星半导体在3月15日宣布将8nm和6nm制程添加到产品路线规划中(roadmap)。预计新制程将在2018年初量产,符合骁龙845的上市节点。

略有意外的是它
高通和三星半导体已有长达十年的战略代工合作,不过双方未来的合作关系并不如想象中那般明朗。据知名爆料人士@i冰宇宙消息,高通和三星代工合作骁龙845为止就告一段落了。

移动平台的未来将何去何从呢?对于消费者而言一切都是未知数,惊喜背后源自于核心硬件的突破,始终让人葆有期待。

更多最新行业资讯,欢迎点击《今日大事要闻》

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top